实验四存储器部件实验报告.doc

实验四 存储器部件实验 班级：通信111班 学号：201110324119 姓名：邵怀慷 成绩： 一、实验目的 1、熟悉ROM芯片和RAM芯片在功能和使用方法等方面的相同和差异之处；学习用编程器设备向EEPROM芯片内写入一批数据的过程和方法。 2、理解并熟悉通过字、位扩展技术实现扩展存储器系统容量的方案。 3、了解静态存储器系统使用的各种控制信号之间正常的时序关系。 4、了解如何通过读、写存储器的指令实现对58C65 ROM芯片的读、写操作。 5、加深理解存储器部件在计算机整机系统中的作用。 1、要完成存储器容量扩展的教学实验，需为扩展存储器选择一个地址，并注意读写和OE等控制信号的正确状态 2、用监控程序的D、E命令对存储器进行读写，比较RAM（6116）、EEPROM（28系列芯片）EPROM（27系列芯片）在读写上的异同 3、用监控程序的A命令编写一段程序，对RAM（6116）进行读写，用D命令查看结果是否正确 4、用监控程序的A命令编写一段程序，对扩展存储器EEPROM（28 系列芯片）进行读写，用D命令查看结果是否正确；如不正确，分析原因，改写程序，重新运行1、检查扩展芯片插座的下方的插针要按下列要求短接：标有“/MWR”“RD”的插针左边两个短接，标有“/MRD”“GND”的插针右边两个短接。 2、RAM（6116）支持即时读写，可直接用A、E 命令向扩展的存储器输入程序或改变内存单元的值。用E命令改变内存单元的值并用D命令观察结果。 在命令行提示符状态下输入： E 2020↙ 屏幕将显示： 2020 内存单元原值: 按如下形式键入： 2020 原值：2222 （空格）原值：3333（空格）原值：4444（空格）原值：5555 ↙在命令行提示符状态下输入： D 2020↙ 屏幕将显示从2020内存单元开始的值，其中2020H~2023H的值为： 2222 3333 4444 5555 问题：断电后重新启动教学实验机，用D命令观察内存单元2020~2023 的值。会发什么问题，为什么？用A 命令输入一段程序，执行并观察结果。 在命令行提示符状态下输入： A 2000↙ 屏幕将显示： 2000： 按如下形式键入： 2000： MVRD R0，AAAA MVRD R1，5555 AND R0，R1 RET 问题：采用单步和连续两种方式执行这段程序，察看结果，断电后发生什么情况？3、将扩展的ROM芯片（27或28系列或28的替代产品58C65芯片）插入标有“EXTROMH”和“EXTROML”的自锁紧插座，要注意芯片插入的方向，带有半圆形缺口的一方朝左插入。 如果芯片插入方向不对，会导致芯片烧毁。然后锁紧插座。 4、将扩展的ROM 芯片（27或28系列或28的替代产品58C65芯片）插入标有“EXTROMH”和“EXTROML”的插座，要注意芯片插入的方向，带有半圆形缺口的一方朝左插入。如果芯 片插入方向不对，会导致芯片烧毁。然后锁紧插座。 5、将扩展芯片下方的插针按下列方式短接：将标有“/MWR”“ PGM”和“RD”的三个插针左面两个短接，将标有“/MWR”“/OE”“GND”的三个插针左边两个短接。 6、将扩展芯片上方标有EXTROMH和EXTROML的“/CS”信号用自锁紧线短接，然后短接到MEMDC 138 芯片的上方的标有“4000－5fff”地址单元。 注：标有/CS 的圆孔针与标有MEM/CS 的一排圆孔针中的任意一个都可以用导线相连；连接的地址范围是多少，用户可用的地址空间就是多少。 下面以2764A 为例，进行扩展EPROM 实验。 7EPROM 是紫外线可擦除的电可改写的只读存储器芯片。在对EPROM 进行重写前必须先擦除并判断芯片是否为空，再通过编程器进行编程。 将芯片0000~001F 的内存单元的值置成01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0B 0C 0D 0E 0F10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F (2) 将编程好的芯片插在扩展芯片的高位，低位不插，按上面的提示插好插针。 问题： 用D命令查看内存单元0000~001F的值，结果是什么？用E命令向芯片的内存单元置入数值，再用D命令察看，原来的值是否发生改变？ 用A命令向芯片所在的地址键入程序，用U命令反汇编，发现什么？为什么会出现这种情况？ 将教学机断电后重启，用D命令看内存单元0000~001F的内容，数值是否发生变化？ 下面以AT28C64B（或其替代产品58C65 芯片）为例，进行扩展EEPROM实验。 AT28C64B的读操作和一般的RAM一样，而其写操作，需要一定的时间，大约为1 毫秒。因此，需要