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高放管-bga427.pdf

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高放管-bga427

BGA427 Si-MMIC-Amplifier in SIEGET 25-Technologie 3  Cascadable 50 -gain block 4  Unconditionally stable  Gain |S 2 21| = 18.5 dB at 1.8 GHz (Appl.1) 2 gain |S21 | = 22 dB at 1.8 GHz (Appl.2) 2 IP = +7 dBm at 1.8 GHz ( V =3V, I =9.4mA) 3out D D  Noise figure NF = 2.2 dB at 1.8 GHz 1 VPS05605  Typical device voltage V = 2 V to 5 V D 3 +V  Reverse isolation  35 dB (Appl.2) 4 OUT Circuit Diagram 1 IN 2 GND EHA07378 ESD: Electrostatic discharge sensitive device, observe handling precaution! Type M

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