Ru籽晶层对CoCrPt-SiO2垂直记录层形貌及结构-昆明贵金属研究所.PDF

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Ru籽晶层对CoCrPt-SiO2垂直记录层形貌及结构-昆明贵金属研究所

2015 年 5 月 贵 金 属 May 2015 第 36 卷第 2 期 Precious Metals Vol.36, No.2 Ru 籽晶层对 CoCrPt-SiO2 垂直记录层形貌及结构的影响 1 1 1 1 1 1 * 2 张俊敏 ,王传军 ,沈 月 ,谭志龙 ,毕 珺 ,闻 明 ,周砚田 (1. 昆明贵金属研究所 稀贵金属综合利用新技术国家重点实验室,昆明 650106 ; 2. 瓦房店轴承股份有限公司,辽宁 瓦房店 116300) 摘 要:采用磁控溅射方法,制备了以不同厚度Ru 薄膜为籽晶层的CoCrPt-SiO2 垂直磁记录薄膜。 利用原子力显微镜(AFM) 、透射电镜(TEM)分析 Ru 薄膜的结构和形貌,并研究了其结构对 CoCrPt-SiO2 薄膜表面形貌、粗糙度及结构的影响。结果表明,CoCrPt-SiO2 记录层的晶粒尺寸和粗 糙度均随着 Ru 籽晶层厚度的增加而增加,薄而粗糙的籽晶层适合于高密度磁记录介质。对于 CoCrPt-SiO2 记录层晶粒的优化,厚度为70 nm 的Ru 籽晶层有利于记录层薄膜晶粒的完全隔离,从 而提高了磁记录性能。 关键词:金属材料;垂直磁记录介质;CoCrPt-SiO ;Ru 籽晶层;薄膜结构;微观形貌 2 中图分类号:O441.6 文献标识码:A 文章编号:1004-0676(2015)02-0023-06 Effects of Ru Seed Layer on Structural Properties of CoCrPt-SiO Perpendicular Media

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