一种高性能的低压CMOS带隙基准电压源的设计-河北科技大学学报.PDF

第 卷第 期 河 北 科 技 大 学 学 报 ， ３３ ４ Ｖｏｌ．３３ Ｎｏ．４ 年 月 ２０１２ ８ ＪｏｕｒｎａｌｏｆＨｅｂｅｉＵｎｉｖｅｒｓｉｔ ｏｆＳｃｉｅｎｃｅａｎｄＴｅｃｈｎｏｌｏ Ａｕ ．２０１２ 　 　 　 ｙ 　 　 　 ｇｙ ｇ 　 　  文章编号： （ ） １００８１５４２２０１２０４０３２５０５ 　　 － － － 一种高性能的低压ＣＭＯＳ带隙基准电压源的设计 ， ， ， ， 安胜彪 侯 洁 魏月婷 陈书旺 文环明 　 （ ， ） 河北科技大学信 息科学 与工程 学院 河北石家庄 ０５００１８ 　 ： ， 摘 要 提 出一种 新 型 的芯片 内基 准 电压源的设 计 方案 基 准 电压源是 当代数模 混合集成电路 以及 　 。 、 射频 集成电路 中极 为重要 的组成部 分 为满足 大规模低 压 ＣＭＯＳ集成电路 中高精 度 比较器 数 模 、 ， 转换 器 高灵敏 ＲＦ等电路 对基 准 电压源的苛刻需要 芯片 内部 基 准 电压源 大部分 采 用基 准 带 隙 电 。 、 压 源 研究 并设 计 了一种低功 耗 超低 温度 系数和 较 高的 电源抑制比 的 高性 能低 压 ＣＭＯＳ带 隙基 。 、 、 、 准 电压源 其 综合 了一级 温度 补偿 电流反 馈 技 术 偏 置电 路 温度 补偿 技 术 ＲＣ相 位裕 度 补偿 技 。 （ ） ， ， 术 该 电路 采 用 台积电 工 艺 并利用 进行仿真 仿真 结果表明 了该设 计 ＴＳＭＣ ０．１８ ｍ Ｓ ｅｃｔｕｒｅ μ ｐ ， 。 方案 的合 理性 以及可行 性 适 用 于在低 电压下电源抑制比较 高的低功 耗领域 应 用 ： ； ； ； 关键词 带 隙 基 准 电压源 低 温度 系数 高 电源 电压抑制比 中图分类号： 文献标志码： ＴＮ４５ Ａ 　　　 Ｄｅｓｉｎｏｆｈｉｈ