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一种高性能的低压CMOS带隙基准电压源的设计-河北科技大学学报
第 卷第 期 河 北 科 技 大 学 学 报 ,
33 4 Vol.33 No.4
年 月
2012 8 JournalofHebeiUniversit ofScienceandTechnolo Au .2012
y gy g
文章编号: ( )
10081542201204032505
- - -
一种高性能的低压CMOS带隙基准电压源的设计
, , , ,
安胜彪 侯 洁 魏月婷 陈书旺 文环明
( , )
河北科技大学信 息科学 与工程 学院 河北石家庄 050018
: ,
摘 要 提 出一种 新 型 的芯片 内基 准 电压源的设 计 方案 基 准 电压源是 当代数模 混合集成电路 以及
。 、
射频 集成电路 中极 为重要 的组成部 分 为满足 大规模低 压 CMOS集成电路 中高精 度 比较器 数 模
、 ,
转换 器 高灵敏 RF等电路 对基 准 电压源的苛刻需要 芯片 内部 基 准 电压源 大部分 采 用基 准 带 隙 电
。 、
压 源 研究 并设 计 了一种低功 耗 超低 温度 系数和 较 高的 电源抑制比 的 高性 能低 压 CMOS带 隙基
。 、 、 、
准 电压源 其 综合 了一级 温度 补偿 电流反 馈 技 术 偏 置电 路 温度 补偿 技 术 RC相 位裕 度 补偿 技
。 ( ) , ,
术 该 电路 采 用 台积电 工 艺 并利用 进行仿真 仿真 结果表明 了该设 计
TSMC 0.18 m S ecture
μ p
, 。
方案 的合 理性 以及可行 性 适 用 于在低 电压下电源抑制比较 高的低功 耗领域 应 用
: ; ; ;
关键词 带 隙 基 准 电压源 低 温度 系数 高 电源 电压抑制比
中图分类号: 文献标志码:
TN45 A
Desinofhih
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