低噪声双环路压控振荡器的设计-微电子学.PDF

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低噪声双环路压控振荡器的设计-微电子学

第 卷第 期 微 电 子 学 , 45 3 Vol.45 No.3 年 月 2015 6 Microelectronics Jun.2015 췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍 低噪声双环路压控振荡器的设计 , , , 路小龙 高 博 龚 敏 薛 兵 ( , ) 四川省微电子技术重点实验室 成都 610064 : , 。 摘 要 基于 工艺库 设计了一款低噪声差分型双环路压控振荡器 针 SMIC65nmCMOSRF , , ; 对振荡器中的延迟单元 引入 PMOS交叉耦合正反馈技术 以提高输出波形的摆幅 采用Maneatis , ; , 负载结构 改善输出波形的对称性 利用次级延迟环路输入 MOS管的开关作用 减小振荡周期中 , 。 , PMOS管的沟道热噪声对输出节点的影响 以提高相位噪声性能 后仿真结果表明 在 1.2V电 , , , 源电压下 可控电压调节范围为0.1~0.7V时 输出频率调谐范围为3.8~1.63GHz在振荡频率 / , 为 处的相位噪声为 在 处的相位噪声为 3.8GHz -100.4dBcHz@1MHz 1.63GHz -103.5 / , 。 dBcHz@1MHz功耗为13.2mW : ; ; ; 关键词 压控振荡器 结构 双环路 相位噪声 Maneatis 中图分类号: 文献标识码: 文章编号: ( ) TN432 A 1004-3365201503-0315-05 DesinofaLowNoiseDual-Loo Rin VCO g p g , , , LUXiaolon GAOBo GONGMin XUEBin g g (

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