太阳能电池用多晶硅-中国有色金属标准质量信息网.DOC

ICS?29.045 H82 中华人民共和国国家标准 GB/T XXXXX—XXXX 代替GB/T 25074-2010 太阳能电池用多晶硅 Polysilicon for solar cells （工作组讨论稿） ????? XXXX - XX - XX实施 XXXX - XX - XX发布 XXXX - XX - XX实施 XXXX - XX - XX发布 前??言 本标准按GB/T 1.1-2009给出的规则起草。 本标准。GB/T 24582、GB/T 24849、GB/T 29851 、GB/T 29852、 SEMI PV49 删除了等级指标判定中以电阻率为判定依据的指标(一）； 将内在质量指标中各等级施受主浓度、少子寿命、基体金属含量进行修订，并明确规定了表面金属杂质含量要求； 尺寸范围更加细化，并增加了棒状多晶硅的尺寸要求； 表面质量增加了基本料、珊瑚料、玉米料的表观质量要求； 试验方法增加了表面金属、基体金属杂质含量的检验要求； 取样、制样增加了各检验项目的取样、测试位置和取值方法的要求。 包装要求不再局限于固定重量，不同客户依据供需双方协商。 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会（SAC/TC203/SC2）提出并归口。 本标准起草单位：本标准主要起草人：太阳能电池用多晶硅 1 范围 本标准规定了太阳能多晶的产品分类、要求、试验方法、检验规则以及包装、标志、运输及贮存。 本标准适用于，生产的棒状。产品主要用于硅棒和硅锭。 GB/T 1550 非本征半导体材料导电类型测试方法 GB/T 1551 硅单晶电阻率测定方法 GB/T 1553 硅和锗体内少数载流子寿命光电导衰减法 GB/T 1557 硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法 GB/T 1558 硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法 GB/T 4059 硅多晶气氛区熔基磷检验方法 GB/T 4060 硅多晶真空区熔基硼检验方法 GB/T 4061 硅多晶断面夹层化学腐蚀检验方法GB/T 24581 低温傅立叶变换红外光谱法测量单晶硅中Ⅲ、Ⅴ族杂质含量的测试方法 GB/T 24582 酸浸取-电感耦合等离子质谱仪测定多晶硅表面金属杂质 光电导衰退 阿拉伯数字表示硅多晶等级 字母I表示棒状，N表示块状、G表示粒状 表示太阳能级硅多晶 4技术要求 4.1 等级 太阳能级多晶的纯度应符合表1的规定多晶等级项目 1级品 2级品 3级品 ≤0.8 ≤2.0 ≤4.5 受主杂质浓度，10-9 ≤0.26 ≤0.54 ≤1.32 氧浓度，at/cm3 ≤0.2×1017 ≤0.5×1017 ≤1.0×1017 碳浓度，at/cm3 ≤2.0×1016 ≤3.0×1016 ≤4.0×1016 少数载流子寿命，μs ≥ ≥100 ≥50 基体金属杂质， Fe、Cr、Ni、Cu、Zn≤20 Fe、Cr、Ni、Cu、Zn≤50 Fe、Cr、Ni、Cu、Zn≤100 表面金属杂质，Fe、Cr、Ni、Cu、Zn≤30 Fe、Cr、Ni、Cu、Zn≤50 Fe、Cr、Ni、Cu、Zn≤100 注：1.基体金属杂质3mm-25mm，可单独包装，混装时不超过总重量的10% 25mm-70mm，可单独包装，混装时占总重量的30%～50% 70mm-200mm，可单独包装，混装时占总重量的50%～60% 4.2.2 棒状：棒状多晶硅的直径、长度尺寸由供需双方商定。 多晶硅导电类型检验按GB/T 1550少数载流子寿命测量按GB/T 155测试 5.5多晶硅中氧浓度测量按GB/T 155测试 5.6多晶硅中碳浓度测量按GB/T 1558测试 5.7多晶硅断面夹层检验按GB/T 4061测试 5.8多晶硅中的含量按照GB/T 24582或GB/T 24849 测试棒状多晶硅的尺寸用游标卡尺测量，块状多晶硅粒状多晶硅的尺寸分布范围用过筛检验，或由供需双方商定的方法检验。 多晶硅的表面质量用检查检查和验收 产品应供方质量监督部门进行检验，保证产品质量符合本标准规定，并填写产品质量证明书。 需方可对收到的产品进行检验。若检验结果与本标准规定不符时，应在收到产品之日起个月内向供方提出，由供需双方协商解决。 组批 产品应成批提交验收，每批应有同一牌号，以类似工艺条件生产并可追溯生产条件的多晶硅。 检验项目 每批产品应进行电阻率电阻率少数载流子寿命、氧碳浓度、尺寸表面质量的检验金属杂质由供需双方协商。 取样与-1~1109cm-1峰高处-1~609cm-1峰高处检验结果判定 多晶硅的由电阻率电阻率少数载流子寿命、氧碳浓度少数载流子寿命金属杂质属参考项目。 在判定项目中若检验结果有一项不合格，则加倍取样对该不合格的