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庞磁电容及负电容效应之锗场效电晶体验证-国家奈米元件试验室
1
02
The Demonstration of Colossal Magneto-
capacitance and Negative Capacitance
Effect with the Promising Characteristics of
Jg-EOT and Transistor s Performance on Ge
(100) n-FETs by the Novel Magnetic Gate Stack
Scheme Design
EOT (Equivalent Oxide Thickness)
BaTiO3 FePt
FePt
BaTiO3 ( value)
~75%
( value) ~50% (I ) (J )~100
on g
Abstract
TSuper Jg-EOT gate stack characteristics, ultra-high value, and the promising
transistor s performance are achieved on the Ge n-FET by the application of the
BaTiO3 as the gate dielectric and the magnetic FePt film as the metal gate. The
super Cgate/ -value is generated by more dipoles in the HK dielectric layer with
the coupling of the build-in magnetic field from MG (HK: BaTiO 3; MG: magnetic
FePt). With the demonstration of this classical colossal magneto-capacitance
effect in this work, the value can be improved ~75% successfully together with
the reduction of Jg ~100X and the Ion is imp
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