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2SD1509
硅NPN外延型(达林顿功率晶体管)
2SD1509
微电机驱动,锤驱动应用
单位 mm
开关应用
功率放大器应用
• 高DC电流增益:小时 = 2000 (分)(Ⅴ = 2 V, I = 1 A)
FE CE C
• 低饱和电压 V = 1.5伏(最大)(Ⅰ= 1 A, I = 1 mA)
CE (SAT) C B
绝对最大额定值绝对最大额定值 ((TA = 25°C))
特点 符 评级 Unit
集电极基极电压 VCBO 80 V
集电极 - 发射极电压 VCEO 80 V
发射极基极电压 VEBO 8 V
集电极电流 IC 2 A
基极电流 IB 0.5 A
集光力 TA = 25℃ 1.5 JEDEC ―
PC W
耗散 TC = 25℃ 10 JEITA ―
结温 Tj 150 °C 东芝 2-8H1A
存储温度范围 Tstg −55 150 °C
重量 1.3克(典型值).
注1:高负荷下连续使用(如应用程序
温度/ 电流/ 电压和温度的变化显著等)可能导致此产品在可靠性降低显著即使操作条件(即工作温度/ 电流/ 电压等
)在绝对最大额定值内.
请在审查东芝半导体可靠性手册(“注
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