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0 ( ) Vol. 0 No.
2004 10 J. Wuhan Univ. ( Nat. Sci. Ed.) Oct. 2004, 63~ 67
: 1671-8836(2004) 0 -0 63-0
电子束蒸发制备ZnO薄膜及其
晶体结构和电学性质
孟宪权, 陈巍, 李惟芬, 张观明, 马飞, 王 栋
( 武汉大学 物理科学与技术学院, 湖北武汉430072)
: ZnO ,
.X , ZnO , ( 100) 73 nm,
. , ; 400e
, ; 600 e , ZnO , , ,
. 400 e , Al O ZnO , MgO
2 3
, MgO , MgO ZnO p .
: ZnO ; ; p ;
+
: O 484. 1; O 484.4 2 :A
( MOCVD)
0 ( M BE) [ ~ 17] .
ZnO . ,
,
, ,
.
ZnO GaN , ZnO ,
, GaN 2. 2% , ,
, ZnO .
E g 3 . 30 eV. 1997 , D. M. Bagnall Z. Zn ,
[ 18]
[ 1, 2] .
K. Tang ZnO
ZnO
. 1997
[ 19]
, 5Science6 .
, ZnO
/ 0[ 3] . 1999 ZnO ;
[4] , ZnO
ZnO
. , ZnO ; ZnO
GaN . ; ZnO
, ZnO p .
, ZnO ( 60
meV) [ 1, 2, 4] . 1
ZnO ,
(E-beam Evaporation) ( So-l ZnO DMP-
Gel) ( PLD) ( ALE) 4 0,
: 2004-03-23
: (
: ( 1964-) , , , , . E-mail: mengxq@ whu. edu. cn
64 ( ) 0
ZnO, MgO( W MgO = 1%) Al2O3 (
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