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7-1 4N60 产品资料
功率MOSEFT—4N60
4A，600V N沟道
4N60功率MOS场效应管采用先进的高压DMOS工艺技术。这种先进工艺使器件具有优良的特性，如极快
的开关速度，极低栅电荷，最小化的导通电阻以及极强的雪崩击穿特性。这种器件非常适合于高效开关电源，
DC/DC转换器，PWM马达控制和桥式驱动电路等。
1、特征
· 4A，600V， RDS(on)=2.5Ω@Vgs=10V；
· 极低栅电荷，典型15nC；
·极低反向转换电容；典型8pF
· 快速开关能力；
· 增强的dV/di能力；
· 100%雪崩击穿测试；
· 封装型式：TO-220/TO-220F
· 最大结温 150 ℃
2、性能指标
极限值：（除其他标注外Tamb= 25℃）
参 数 符 号 数 值 单 位
最大漏源电压 VDSS 600 V
栅源电压 VGS ±30 V
雪崩电流 IAR 4.4 A
最大持续漏电流 ID 4.0 A
最大脉冲漏电流 (注1) IDM 16 A
雪崩能量（单脉冲） (注2) EAR 260 mJ
峰值二极管恢复dv/dt (注3) dv/dt 4.5 V/ns
TO-220 106
最大耗散功率 PD W
TO-220F 48
工作结温/储存温度范围 T /T -55～150 ℃
J STG
地址（ADD）：无锡新区硕放香楠一路 9 号 电话（Tel）：0510
网址（Http）：Http:// 传真（Fax）：0510
7-2 4N60 产品资料
热性能（除其他标注外Tamb = 25°C）
参数
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