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继电器触点接触电阻偏大的失效机理研究
李继伟施明哲 刘子莲
(-r业与信息化部电子第五研究所广州510610)
摘 要 本文用试验的方法研究了继电器触点接触电阻增大的失效机理。试验中分别用扫描电镜和x射线
能谱仪观察失效样和正常样的触点形貌并分析触点表面的元素成份。再用红外光谱仪验证了触点污染物的来+
源。根据试验的分析结果,讨论了触点失效的机理,并提出了改进的建议和可行的措施。本文对继电器失效
的理论和模拟研究具有较大的参考价值,同时为改进触点材料和工艺制造过程提供试验依据。
关键词 密封继电器触点接触电阻失效
中图分类号 文献标识码A
The ofFailureMechanismofContact
Study
Enhacementof Contact
Relay
Jiwei Liu
Shi,Zihan
Li,Mingzhe
Instituteofthe of andInformation
(The5thElectronics MinistryIndustry
of of contacthasbeen
Abstract:Thefailuremechanismcontactresistanceenhacement
relay
Electron EDS(EnergyDispersive
throushexperiments.SEM(ScanningMicroscope)and
analyzed
of usedtoobservethe and the
SystemX-ray)welerespectively morphologyanalyze
Analysis
of surfaceofthefailure andnormal
elemental thecontact
composition samples samples.And
wehavealsoverifiedthe ofthecontaminantonthecontact infrared
origin using spectrometer.
and
tothe wediscussedthefailuremechanismofthecontact,
results,
Accordinganalytic
recommendationfor andfeasiblemeasures.niscan
proposed improvements study provide
andits c
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