电工学(下册)电子技术复习题.doc

电子技术复习题 填空 1．P型半导体中的多数载流子是（空穴）；N型半导体中的多数载流子是（自由电子）。 2．半导体二极管具有单向导电性。加（正）向电压时导通；加（反）向电压时截至。硅二极管的正向导通电压为（0.6）~（0.8）V；锗二极管的正向导通电压为（0.2）~（0.3）V。 3．某稳压管的稳定电压UZ=5V，最大耗散功率PZM=100mW，则其最大稳电流IZM=（20）mA。 4．某稳压管的稳定电压UZ=6V，最大稳定电流IZM=20mA，则其最大耗散功率PZM=（120）mW。 5．晶体管有（基）极、（集电）极和（发射）极三个电极，分别用字母（B）、（C）和（E）表示。 6．电子电路中的晶体管有放大、饱和截至三种工作状态。测得某电子电路中﹝a﹞、﹝b﹞、﹝c﹞三个晶体管各极的电位如图所示。则晶体管﹝a﹞工作于（饱和）状态，晶体管﹝b﹞工作于（截止）状态，晶体管﹝c﹞工作于（放大）状态。 7．放大电路如图﹝a﹞所示，其晶体管的输出特性及放大电路的交、直流负载线如图﹝b﹞所示，图中Q为静态工作点。则晶体管β=（50），静态IC=（2mA），UCE=5V，电阻RB≈（250kΩ）（1）。采用（电阻和电容）为选频电路的称为RC正弦波振荡电路；采用（电感和电容）为选频电路的称为LC正弦波振荡电路。 11．设整流变压器副边电压有效值为U。单相半波整流电路整流电压的平均值为（0.45）U，二极管承受的最大反相电压为（ ）U；单相全波整流电路整流电压的平均值为（ ）U，二极管承受的最大反相电压为（ ）U；单相桥式整流电路整流电压的平均值为（ ）U，二极管承受的最大反相电压为（ ）U。 12．有0出1，全1出0是（ ）门的逻辑特点。 13．将逻辑式化简后的结果为Y=（ ）。 14．将十进制数（27）10转换为二进制数为（ ）。 选择 1．附图所示电路的二极管是理想器件，AO两端的电压UAO为（ C ）。 A．4V B．-10V C．-4V 2．在图示电路中，二极管D1、D2、D3的工作状态为（ B ）。 A．D1、D2截止，D3导通 B．D1导通，D2、D3截止 C．D1、D2、D3均导通 D．D1、D2、D3均截止 3．在图示电路中，二极管D1、D2、D3的工作状态为（ A ）。 A．D1、D2截止，D3导通 B．D1导通，D2、D3截止 C．D1、D2、D3均导通 D．D1、D2、D3均截止 4．在图示电路中，稳压管DZ1和DZ2的稳定电压分别为5V和7V，则UO=（ A ）。 A．5V B．7V C．0V 5．在图示电路中，稳压管DZ1和DZ2的稳定电压分别为5V和7V，正向压降忽略不计，则UO=（ A ）。 A．5V B．7V C．0V 6．NPN型晶体管处于放大状态的条件是各级电位（ A ）。 A．VC＞VB＞VE VC＜VB＜VE C．VC＞VBVE 7．PNP型晶体管处于放大状态的条件是（ B ）。 A．VC＞VB＞VE VC＜VB＜VE C．VC＞VBVE 8．采用差动放大电路的目的是为了（ B ）。 A．电压放大 B．抑制零漂 C．增强带负载能力 9．图2.1所示的差分放大电路的电压放大倍数Ad=为（ A ）。 A． B． C． D． 10．OTL功率放大电路的低频响应（ B ）。 A．比OCL功率放大电路好 B．比OCL功率放大电路差 C．与OCL功率放大电路一样好 11．OCL功率放大电路的低频响应（ A ）。 A．比OTL功率放大电路好 B．比OTL功率放大电路差 C．与OTL功率放大电路一样好 12．在图示的运算放大器电路中，IL=（ C ）。 A． B． C． 13．在图示的运算放大器电路中，UO=（ B ）。 A．15V B．7.5V C．30V 14．反相比例运算电路属于（ D ）负反馈。 A．串联电流 B．串联电压 C．并联电流 D．并联电压 15．同相比例运算电路属于（ B ）负反馈。 A．串联电流 B．串联电压 C．并联电流 D．并联电压 16．某测量放大电路，要求输入电阻高，输出电流稳定，应引入（ A ）负反馈。 A．串联电流 B．串联电压 C．并联电流 D．并联电压 17．在下面A、B、C各图中，Y恒为0的是图（ C ）。 18．与相等的为（ B ）。 A． B． C． 19．将化简后得（ A