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FM20L08的应用指南
FM20L08的应用指南
FM20L08的特点：
128K*8的FRAM 存储器。
低电压保护
软件写保护
FM20L08的工作电压(VDD)：
最低电压: 3.135V
典型电压: 3.3V
最高电压: 3.63V
FM20L08的I/O 输入电压
最高电压:3.93V
最低电压: -0.3V
FM20L08随机读写操作:[A(03-16)变化,/CE需要有充电时间]
访问时间: 60ns
充电时间: 90ns
读写时间:150ns
读写时序:
FM20L08页读写操作:[A(03-16)不变化,A(0-2)变化,/CE无须变化]
访问时间: 15ns
写周期: 30ns
读写时序
FM20L08的低电压保护
VTP最小值:2.7V
VTP最大值:3V
FM20L08的软件保护
Read 05555h -
Read 1AAAAh -
Read 03333h -
Read 1CCCCh -
Read 100FFh -
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Write 1AAAAh #Data
Write 1CCCCh /#Data
Write 0FF00h -
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FM20L08的参考电路设计:
1. 替换原由的128K的存储(不修改程序,采用随机读写模式)
利用ALE信号的解决方案。
采用R/W信号产生FRAM的片选信号，具体的方式如下图
具体电路:
FM20L08 在 3V 系统随机读写模式硬件图
2. 新设计(建议采用页操做模式,CS直接相联)
数据线和低8 位地址复用系统的连接图
FM20LO8在3V 电压系统页操作模式的硬件电路图(MCU的数据线和低8 位地址复用)
FM20L08在3V 系统中页操作模式电路图(地址线和数据线完全分开)
页操做模式的注意事项:
在软件的读写操作中必须设置当地址线的变化不在 A(0-2)中时,对每个地址操作后,/CS 必须变化.
FM20L08如何应用于 5V的系统中
1. 替换原由的128K的存储(不修改程序,采用随机读写模式)
利用ALE信号的解决方案。
采用R/W信号产生FRAM的片选信号，具体的方式如下图
具体电路
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