eMMC存储配置文件.pptx

eMMC存储简介; eMMC (Embedded Multi Media Card) 嵌入式多媒体卡 MMC协会所订立的内嵌式存储器标准规格 主要应用于智能手机与移动嵌入式产品;1、eMMC拥有存储以及取代Nor Flash的开机功能，开机速度比传统的MCP要快几倍 2、eMMC可以很好的解决对MLC与TLC的管理，ECC除错机制、区块管理、平均抹写储存区块技术、指令管理、低功耗管理等。 3、厂商不用再为不同的NAND Flash重新设计规格、不用处理NAND Flash相容性和管理问题、缩短新品上市周期、研发成本;eMMC 结构由一个嵌入式存储解决方案组成： 标准MMC封装接口 主控制器 (控制芯片) 快闪存储器设备(NAND Flash芯片 ) 这三部分封装在一个JEDEC(固态技术协会)标准的BGA上。 接口速度高达每秒52MB，eMMC具有快速、可升级的性能。同时其接口电压可以是1.8v 或者是3.3v。;看图说话～ Core Regulator 核心稳压器 ;1. I/O0 ~ I/O7：用于输入地址/数据/命令, 输出数据，有可能16位，但高8位只用于数据 2. CLE: Command Latch Enable, 命令锁存使能, 在输入命令之前, 要先在模式寄存器中, 设置CLE使能 3. ALE: Address Latch Enable, 地址锁存使能, 在输入地址之前, 要先在模式寄存器中, 设置ALE使能 4. CE#: Chip Enable, 芯片使能, 在操作Nand Flash之前, 要先选中此芯片, 才能操作 5. RE#: Read Enable, 读使能, 在读取数据之前, 要先使CE#有效。 6. WE#: Write Enable, 写使能, 在写取数据之前, 要先使WE#有效。 7. WP#: Write Protect, 写保护 8. R/B#: Ready/Busy Output,就绪/忙,主要用于在发送完编程/擦除命令后, 检测这些操作是否完成: 忙, 表示编程/擦除操作仍在进行中, 就绪表示操作完成. 9. Vcc: Power, 电源 10. Vss: Ground, 接地 11. N.C: Non-Connection, 未定义, 未连接。 [小常识] 在数据手册中, 你常会看到, 对于一个引脚定义, 有些字母上面带一横杠的, 那是说明此引脚/信号是低电平有效, 比如你上面看到的RE头上有个横线, 就是说明, 此RE是低电平有效, 此外, 为了书写方便, 在字母后面加“#”, 也是表示低电平有效，比如上面写的CE#；如果字母头上啥都没有，就是默认的高电平有效，比如上面的CLE，就是高电平有效。;1、SLC 与 MLC SLC每个存储单元只存储一个Bit数据 MLC每个存储单元可以存储多个Bit数据 根据电荷多少设定阀值,比如4V，可以用1234V分别表示数值 2、如何识别SLC和MLC 通过读取chip ID，chip ID 最少4个字节，可以更多 其中第3个字节中的信息如下 Bit[1:0] 内部芯片数 1、2、4、8 Bit[3:2] 电平种类数 2、4、8、16 Bit[5:4] 可同时编程页1、2、4、8 Bit[6] 多芯片交替编程是否支持 0：不支持 Bit[7] 高速缓存编程(cache Program)是否支持 0：不支持;Nand Flash 的核心部件是 Floating Gate FET(浮置栅场效应管) NAND Flash 的擦写均是基于隧道效应：电子从源极穿过浮置栅极与硅基层之间的绝缘层，对浮置栅极充电(写数据 ‘0’)或放电(擦数据 ‘1’)，Nand Flash 擦除以block为单位，写数据以page为单位。 清除Flash的数据是写1，这与硬盘正好相反。 Nor Flash 则反过来，电流从浮置栅极到源极，称为热电子注入;1、NAND的闪存单元比NOR要小 因为NOR的每个单元都需要独立的金属触点。 NAND的与硬盘驱动器类似，基于扇区(页Page),也存在坏的扇区，需要ECC纠错 2、因为单元小，所以NAND的写(编程)与擦除的速率快；而NOR的优点是具有随机存取和对字节执行写操作的能力，NAND的则比较慢。 ;块(Block)是擦除操作的最小单位(相当于硬盘的扇区) 一个nand flash由很多个块（Block）组成，块的大小一般是128KB，256KB，512KB 页(Page)是编程操作的最小单位 每个块里面又包含了很多页（page）。页的大小256B、512B、2KB、4KB 每一个页，对应还有一块区域，叫做空闲区域（spare area）/冗余区域（redundant area），而Linux系统中，一般叫做OOB（Out