与硅平面工艺兼的p-p+型多孔硅的发光特性研究3.PDF

　第 19 卷第 11 期　　　　　　　　半　导　体　学　报　　　　　 　　 . 19, . 11　 V o l N o 　1998 年 11 月　　 　　　 　　　　　　 . , 1998　 CH IN ESE JOU RNAL O F SEM ICONDU CTOR S N ov 与硅平面工艺兼容的 - + 型 p p 多孔硅的发光特性研究 孙　鲁　　张树霖 (北京大学物理系　北京　100871) 张　录　关旭东　韩汝琦 (北京大学微电子所　北京　100871) - + 摘要　 型多孔硅电致发光器件对实现硅基光电子集成具有重要的意义, 我们通过改变 p p - + 样品衬底的离子注入浓度和阳极氧化条件, 在 型单晶硅衬底上生长了不同的多孔硅样 p p 品后, 在纯氧和稀氧氛围下对样品进行了 800℃高温退火处理. 通过测量样品的光致发光谱, - + 研究了样品衬底离子注入浓度, 阳极氧化条件及后处理条件等对 型多孔硅样品发光的 p p 影响, 为研制与硅平面工艺兼容的多孔硅发光器件, 提供了重要的参考设计参数和进一步改进 工艺的依据. PACC: 7320, 8265, 7855 [ 1 ] 1990 年, 英国科学家 Canham 关于多孔硅可在室温下发强烈可见光的发现 , 为实现 硅基光电子集成注入了希望. 实现硅基光电子集成, 关键的一步便是用多孔硅制成与硅平面 工艺兼容的高发光效率的电致发光器件. 为此, 一方面要使多孔硅具有合理的结构, 能够高 效地为发光层注入载流子, 并发射可见光; 另一方面, 要求多孔硅耐高温处理, 以期与硅平面 - + 工艺兼容. 国外研究者在初步解决多孔硅耐高温处理的基础上, 把在 型基片上制成的