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01年公务人员特种考试原住民族考试试题
101年公務人員特種考試原住民族考試試題 代號: 3508
頁次: 8-1
等 別:五等考試
類 科:電子工程
科 目:電子學大意
考試時間: 1 小時 座號:
※注意:本試題為單一選擇題,請選出一個正確或最適當的答案 ,複選作答者,該題不予計分 。
本科目共40題,每題 2.5 分,須用2B鉛筆在試卡上依題號清楚劃記,於本試題上作答者,不予計分。
可以使用電子計算器。
V V /
在二極體的I-V關係式I D T 中, 為:
1 = I ( -1) V
D S e T
爾利(Early )電壓 熱(thermal )電壓
臨界(threshold )電壓 偏移(offset )電壓
2 相較於開路(open circuit )的pn 接面,逆偏下的 pn 接面:
空乏區寬度減少 擴散電流(diffusion current )增加
空乏區內的位能障礙增加 空乏區內的空間電荷減少
3 利用何種物理實驗效應可以判定出半導體是屬於正( )型或負( )型?
P N
霍爾(Hall )效應 光電效應
黑體輻射效應 磁鐵磁性吸引效應
4 若 接面二極體之導通電壓為 ,且導通電阻值為 。若 ,且電容之初始電壓
P-N 0.7 V 0 Ω V = 5sinωt (V)
i
為 0 V ,假設不考慮電容內阻,下列敘述何者最正確?
D1
Vi R C Vo
越小, 之峰值( )不變,谷值( )變小
ω Vo peak value bottom value
電容越小,Vo之漣波(ripple )越小
越大,漣波越大
ω
電阻越大,Vo之漣波越大
5 雙極性接面電晶體( )在主動區( )操作下,其偏壓方式為:
BJT active region
、 間逆偏, 、 間順偏 、 間順偏, 、 間逆偏
B E C B B E C B
、 間及 、 間均逆偏 、 間及 、 間均順偏
B E C B B E C B
6 如圖
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