NaITl单晶γ能谱仪-复旦大学物理教学试验中心FudanPhysics.PDF

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NaI(Tl)单晶 γ 能谱仪 徐轲 张德全 NaI(Tl)单 晶 γ 能谱仪 1 实验原理 2 γ能谱中的本底 CONT ENT 3 γ能谱分辨率 4 Pb特征X射线峰能量 5 Pb峰与光电峰之比 实验原理 1 实验原理 1 2 γ能谱仪 放射源137Cs 55 闪烁体 光电效应 γ射线 次级 康普顿散射 荧光 电子 电子对效应 数字信号 后续处 电脉冲 光电倍 荧光 γ能谱 理仪器 增管 γ射线与物质的相互作用 ①光电效应 ②康普顿散射 ③电子对效应 ⑤ γ射线与物质的相互作用 photoemission peak ④ ①X射线特征峰 ②反射散射峰 Multiple Compton ③湮灭峰 effect ④康普顿平台 ⑤光电峰 理论能谱 γ能谱中的本底 2 铅片包裹隔离背景辐射 包裹不同层数的铅片以隔离背景辐射 u当再包上一层铅片后 ,能谱也无明显变化时可认为此时已 经将背景噪声和探测器噪声分开 。 铅片包裹隔离背景辐射 不同层数铅片包裹的本底能谱 不同层数铅片包裹的能谱的差距 u铅片数量及实验装置限制无法完全包裹 ,仍有可观的背景辐射进入闪烁体 u可观察到Pb的特征X射线峰 (如左图箭头所示 ) u包裹过程中难免会弯折铅片 ,请勿模仿 铅砖密室隔离背景辐射

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