中高能正电子被及#）散射的总截面！.PDF

第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报 ## # ’%%I # ， ， ， 306 :## 70 :# R*S ’%%I （ ） (%%%.$’=%L’%%IL## %# L’’’;.%I M4NM O)P8Q4M 8Q7Q4M !’%%I 4T9A : OTS@ : 801 : 中高能正电子被 ， ， 及 ! #!$ %# ’(#) 散射的总截面! ! 施德恒 孙金锋 朱遵略 刘玉芳 （河南师范大学物理与信息工程学院，新乡 #$%% ） （ 年 月 日收到； 年 月 日收到修改稿） ’%%# (’ ’%%# (( (’ 利用可加性规则，使用)*+,+--./012 波函数，采用由束缚原子概念修正过的复光学势（由静电势、极化势及吸收 势三部分组成），在 — 内对正电子被 ， ， 和 散射的总截面进行了计算，且将计算结果与实验 $% $%%%-3 45 )46 7) 89) $ 结果及其他理论计算结果进行了比较: 结果表明，利用被束缚原子概念修正过的复光学势及可加性规则进行计算， 所得结果与实验结果的符合程度要比利用未被束缚原子概念修正的复光学势及可加性规则进行计算得到的结果 好很多: 因此，在复光学势中采用束缚原子概念可提高正电子被分子散射的总截面的计算准确度: 关键词：正电子散射，可加性规则，束缚原子，总截面 ： *+!! $;# 波函数是一件很困难的事，因此这种方法存在计算 (D 引 言 不简便，适用的分子有限等问题: 可加性规则是一种较简单的方法，已被广泛应 ［— ］ 中、高能 （几十至数千电子伏）正电子被分子散 用于电子被分子散射的总截面的计算中= (’ : (==$ ［］ 射的总截面在许多学科领域都有重要应用 和电子 ; : 年， 选择了 个能量点，在 — 内第一 J*K # (%% #%%-3 相比，正电子被分子的散射有两个显著特点：一是由 次利用可加性规则计算了正电子被 个分子（ ，