功率MOSFET数据表说明.PDF

应用说明AN 2012-03 V1.1 2012 年3 月 英飞凌 OptiMOSTM 功率 MOSFET 数据表说明 英飞凌科技奥地利AG 电源管理及多元化市场部门 应用工程师 Alan Huang 英飞凌OptiMOSTM 应用说明AN 2012-03 功率MOSFET 数据表说明 V1.1 2012 年3 月 版本：2012-03-16 发布者： 英飞凌科技奥地利 AG 9500 维拉赫，奥地利 ©英飞凌科技奥地利 AG 2011 。 保留所有权利。 注意！ 本应用说明中给出的信息仅作为关于使用英飞凌科技器件的建议，不得被视为就英飞凌科技器件的任何特定 功能、条件或质量作出的任何说明或保证。本应用说明的使用者必须在实际应用中验证本文档描述的任何功 能。英飞凌科技在此声明，未就本应用说明中给出的任何及所有信息作出任何性质的保证，也不承担任何性 质的责任，包括但不限于没有侵犯任何第三方的知识产权的保证。 信息查询 若需获得关于技术、交付条款和价格的更多信息，敬请就近联系英飞凌办事处() 。 警告 由于技术要求，器件可能包含有害物质。如对器件的成分有疑问，请就近联系英飞凌办事处。如果可以合理 地预计英飞凌的某个组件失效可能会导致生命支持设备或系统失效，或者影响该等设备或系统的安全性或有 效性，那么在将这些组件用于生命支持设备或系统之前，必须获得英飞凌的明确书面同意。生命支持设备或 系统意指用于植入人体内部，或者支持和/或维持、维系和/或保护人类生命的设备或系统。如果这些设备或 系统失效，可以合理推定其用户或其他人的健康将受到威胁。 AN 2012-03 修订记录：日期(12-03-16)，V1.1 先前版本：V1.0 作者：Alan Huang ，电源管理和多元化市场部门 欢迎提出意见和建议 您是否认为本文档中的任何信息存在错误、含糊不清或遗漏？您的反馈将有助于我们不断改进文档质量。请 把您的意见和建议（注明本文档的索引号）发送至：[Alan.Huang@] 2 英飞凌OptiMOSTM 应用说明AN 2012-03 功率MOSFET 数据表说明 V1.1 2012 年3 月 目录 1. 引言4 2. 数据表参数4 2.1 功率耗散5 2.2 漏极电流7 2.3 安全工作区9 2.4 最大瞬态热阻抗ZthJC 11 2.5 典型输出特性13 2.6 作为漏极电流函数的漏源导通电阻14 2.7 转移特性16 2.8 正向跨导17 2.9 漏源导通电阻18 2.10 栅极阈值电压19 2.11 电容20 2.12 反向二极管特性22 2.13 雪崩特性25 2.14 漏源击穿电压26 2.15 典型栅极电荷27 2.16 漏电流30 2.17 其他重要参数30 2.17.1 开关时间30 2.17.2 栅极电阻31 2.17.3 更多最大额定值31