后退火增强氢化非晶硅钝化效果的研究陈剑辉杨静沈艳娇李-物理学报.PDF

后退火增强氢化非晶硅钝化效果的研究 陈剑辉 杨静 沈艳娇 李锋 陈静伟 刘海旭 许颖 麦耀华 Investigation of post-annealing enhancement effect of passivation quality of hydrogenated amorphous silicon ChenJian-Hui YangJing ShenYan-Jiao LiFeng ChenJing-Wei LiuHai-Xu XuYing MaiYao-Hua 引用信息Citation: ActaPhysicaSinica, ,198801(2015) DOI: 10.7498/aps.64.198801 在线阅读Viewonline: /10.7498/aps.64.198801 当期内容Viewtableofcontents: /CN/Y2015/V64/I19 您可能感兴趣的其他文章 Articles youmaybeinterestedin Bathocuproine/Ag复合电极对于聚合物光伏器件效率和稳定性的影响 Effects of bathocuproine/Ag composite anode on the performances of stability polymer photovoltaic de- vices 物理学报.2015,64(10): 108801 /10.7498/aps.64.108801 铜锌锡硫薄膜材料及其器件应用研究进展 ProgressofapplicationresearchonCu ZnSnS thinfilmanditsdevice 物理学报.2015,64(6): 068801 /10.7498/aps.64.068801 铁电半导体耦合光伏器件的历史与必威体育精装版进展 Historyandlatestdevelopmentofferroelectric-semiconductorcoupled photovoltaic devices 物理学报.2015,64(3): 038807 /10.7498/aps.64.038807 影响杂化钙钛矿太阳能电池稳定性的因素探讨 Factorsinfluencingthestabilityofperovskitesolarcells 物理学报.2015,64(3): 038803 /10.7498/aps.64.038803 钙钛矿太阳电池综述 Areviewoftheperovskitesolarcells 物理学报.2015,64(3): 038805 /10.7498/aps.64.038805 物理学报 Acta Phys. Sin. Vol. 64, No. 19 (2015) 198801 后退火增强氢化非晶硅钝化效果的研究 陈剑辉 杨静 沈艳娇 李锋 陈静伟 刘海旭 许颖 麦耀华 1) (河北省光电信息材料重点实验室, 河北大学物理科学与技术学院, 保定 071002) 2)(光伏材料与技术国家重点实验室, 英利集团有限公司, 保定 071051) ( 2015 年4 月9 日收到; 2015 年6 月3 日收到修改稿) 在本征氢化非晶硅(a-Si:H(i))/晶体硅(c-Si)/a-Si:H(i) 异质结构上溅射ITO 时, 发现后退火可大幅增 加ITO/a-Si:H(i)/c-Si/a-Si:H(i) 的少子寿命(从1.7 ms 到4 ms). 这一增强效应可能的三个原因是: ITO/a- Si:H(i) 界面场效应作用、退火形成的表面反应层影响以及退火对a-Si:H(i) 材料本身的优化, 但本文研究结果 表明少子寿命增强效应与ITO 和表面反应层无关; 对不同沉积温度制备的a-Si:H(i)/c-Si/a-Si:H(i) 异质结后 退火的研究表明: 较低的沉积温度(175 ◦C) 后退火增强效应显著, 而较高的沉积温度(200 ◦