射频磁控溅射制备氮化锌薄膜的椭圆偏振光谱研究-物理学报.PDF

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射频磁控溅射制备氮化锌薄膜的椭圆偏振光谱研究-物理学报

物理学报 Acta Phys. Sin. Vol. 63, No. 13 (2014) 137701 射频磁控溅射制备氮化锌薄膜的椭圆偏振 光谱研究 陈仁刚 邓金祥 陈亮 孔乐 崔敏 高学飞 庞天奇 苗一鸣 (北京工业大学应用数理学院, 北京 100124) ( 2014 年1 月21 日收到; 2014 年3 月14 日收到修改稿) 在不同的衬底温度下, 使用反应射频磁控溅射法, 在玻璃衬底上制备了氮化锌薄膜样品. 用X 射线衍射 仪、原子力显微镜和椭偏仪对薄膜的晶体结构、表面形貌、光学性质进行了表征分析. 薄膜的晶粒尺寸会随着 衬底温度的升高先增大后减小, 在200 C 时薄膜的结晶性最好. 用椭偏仪测试样品, 建立物理模型计算出氮 化锌薄膜在430—850 nm 范围内的折射率和消光系数等光学参数. 利用Tauc 公式计算出氮化锌薄膜的光学 带隙在1.73—1.79 eV 之间. 关键词: 氮化锌薄膜, X 射线衍射, 椭偏光谱, 光学参数 PACS: 77.84.Bw, 68.37.–d, 78.20.–e DOI: 10.7498/aps.63.137701 的掺杂受主. 但是O 原子的化学活性比N 原子高, 1 引 言 Zn 更容易与O 结合4 . 此外, N 原子在ZnO 中的溶 5 解度也很低 , 这就使N 原子很难掺入ZnO 中. 通 氮化锌(Zn N ) 是II-V 族化合物半导体, 呈 过热氧化Zn N 的方法, 可以提高N 受主在ZnO 黑色, 具有反二氧化钪(ScO ) 结构, 这是氟化钙 中的溶解度, 并且工艺简单. 2003 年, Wang 等人 (CaF ) 结构的一种衍生物, 其中氮原子占据钙原 1,2 先利用直流溅射的方法制备氮化锌薄膜, 后在氧气 子的位置, 同时锌原子占据氟原子 的位置 . 氛围中退火成功制备了掺N 的p-ZnO 5 . 2006 年, 氮化锌粉末是Juza 等人在1940 年首先制备成功. 日本科学家对在氧气中氧化的氮化锌薄膜的电学 但是多年来一直缺乏研究, 直到1993 年, Kuriya- 3 性质做了深入研究6 . 此外, 氮化锌薄膜具有较 ma 等 利用氨气与金属锌直接反应制备出了氮化 7 和电导率, 还 锌多晶薄膜, 报道薄膜的光学带隙为3.2 eV. 1998 高的迁移率(高达156 cm /(Vs)) 年, Futsuhara 等2 人采用射频磁控溅射的方法在 可以用于制作薄膜晶体管(TFTs) 的导电沟道层. 玻璃衬底上制备了氮化锌薄膜, 并对薄膜的结构、 2009 年, Aperathitis 等人用n 型氮化锌作为导电沟 光学性质和电学性质进行了深入的研究, 报道了氮 道制作出薄膜晶体管(TFT) 8 . 他们用200 nm 厚

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