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刻蚀（ETCH）工艺的基础知识f4 } y# [7 N. @4 g　　何谓蚀刻(Etch)? * b??{3 F [6 n- s7 P6 G3 }　　答：将形成在晶圆表面上的薄膜全部，或特定处所去除至必要厚度的制程。 ) I7 x# C3 j1 {, A- u　　蚀刻种类: ??U% c O8 `. m3 p　　答：(1) 干蚀刻(2) 湿蚀刻 2 e1 z! A- }3 v　　蚀刻对象依薄膜种类可分为: % z+ o3 E: P) L　　答：poly,oxide, metal $ e# `* A, O: z$ k# p; E9 D, B　　半导体中一般金属导线材质为何? v+ a# k1 a6 e. a　　答：鵭线(W)/铝线(Al)/铜线(Cu) 8 n5 i! \; k5 ] f??|　　何谓 dielectric 蚀刻(介电质蚀刻)? 6 r3 t0 n5 K0 c {% Y　　答：Oxide etch and nitride etch ! ~. t+ B/ o2 G) P* G W3 L　　半导体中一般介电质材质为何? 2 |3 m$ Q8 E A　　答：氧化硅/氮化硅 0 E# ^7 ]. f) L( D　　何谓湿式蚀刻 7 y8 E6 t# z: E4 _+ d* t7 f　　答：利用液相的酸液或溶剂;将不要的薄膜去除 4 E% e8 p3 A8 q6 F5 U　　何谓电浆 Plasma? : D+ @ i$ f- i; ]( r H, r/ T2 d　　答：电浆是物质的第四状态.带有正,负电荷及中性粒子之总和;其中包含电子,正离子,7 h??e0 a9 ?. b5 N1 g负离子,中性分子,活性基及发散光子等,产生电浆的方法可使用高温或高电压. 5 X* ~* v) g# A1 |% \. [　　何谓干式蚀刻? $ _1 Q+ ^??v0 o4 R　　答：利用plasma将不要的薄膜去除 4 J- P, i/ E; Y+ W: k, X0 P3 _　　何谓Under-etching(蚀刻不足)? $ a$ o2 k; j9 F; N　　答：系指被蚀刻材料，在被蚀刻途中停止造成应被去除的薄膜仍有残留 6 m9 d- c! W! `. `6 ? D) ?0 h; l　　何谓Over-etching(过蚀刻 ) 7 Q7 m0 f+ |1 W- S [5 E( r4 U　　答：蚀刻过多造成底层被破坏 - S: i??R. B( F g. ~; S- F) B　　何谓Etch rate(蚀刻速率) ! n* v/ r6 b0 `　　答：单位时间内可去除的蚀刻材料厚度或深度 8 _5 F4 Q+ r) D8 n2 K　　何谓Seasoning(陈化处理) G d+ m* b% U* s. h S) p　　答：是在蚀刻室的清净或更换零件后，为要稳定制程条件，使用仿真（dummy） 晶圆* L% r$ a5 L5 p, D??N% C进行数次的蚀刻循环。 H2 O6 r2 K0 p6 u* W( @2 A9 b5 N　　Asher的主要用途: ! }# f, b) h$ D5 ]7 ?　　答：光阻去除 * m8 q @; {* M　　Wet bench dryer 功用为何? ; c* ?# M a% d??Q# G$ q3 k, Y d. P　　答：将晶圆表面的水份去除 q+ k d+ p: m9 M% k( g U2 M　　列举目前Wet bench dry方法: 9 [* L??b4 e+ ]??O) T　　答：(1) Spin Dryer (2) Marangoni dry (3) IPA Vapor Dry ( } C: r, A w/ q/ T　　何谓 Spin Dryer {6 n5 S4 |: ~0 Y+ I1 H$ p0 z: j8 b M　　答：利用离心力将晶圆表面的水份去除 $ i! Q2 W F( B* `8 j2 h; j2 k4 ~　　何谓 Maragoni Dryer + ^7 Q9 t( [6 P$ X　　答：利用表面张力将晶圆表面的水份去除 - R( s3 v r) Q( g7 p　　何谓 IPA Vapor Dryer 9 X4 R3 @* m% I2 I??C% R　　答：利用IPA(异丙醇)和水共溶原理将晶圆表面的水份去除 0 q4 s$ e Z W* |　　测Particle时,使用何种测量仪器? 1 M% o) X) I$ r: c$ u. f　　答：TencorSurfscan# G# W3 \1 ? u0 M n! R0 ~　　测蚀刻速率时,使用何者量测仪器? 8 M6 d5 ~% \) g　　答：膜厚计,测量膜厚差值 2 X, {1 M$ f S　　何谓 AEI 4