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第4章固体物理
设从A点到B点经过f小步,每一小步的距离为xi (i=1,2,…,f ),显然 对于无规则运动,X的方向是完全杂乱的,必须按均方根值的办法来求x,即 因为所有的小步都是完全独立的,且如果f是个大数,则 所以 4.5 扩散的微观机构 与填隙原子相邻的一个格点是空位的概率是n1/N, 因此填隙原子跳N/n1小步才能遇到一个空位与之复合,所以 f=N/n1,如果把每一小步的距离都看作等于a,于是 从A点到B点所花费的时间 其中?2是原子从一个间隙位置跳到相邻间隙位置要等待的时间,由于f是个大数,因此上式可以略去1, A B 填隙原子的扩散 4.5 扩散的微观机构 4.5 扩散的微观机构 一般说来,u2大于u1,所以同样温度下,D1要比D2大得多。 N0是阿伏伽德罗常量,R是摩尔气体常量,N0ε代表摩尔扩散的激活能。对于空位扩散机构,ε=u1+E1;对于填隙原子机构,ε=u2+E2。 以上模型过于理想化,实际晶体中的缺陷,还有线缺陷、面缺陷等,所以实验测定的一些金属的自扩散系数比理论值大几个数量级。 4.5 扩散的微观机构 (3)杂质原子扩散 依赖于杂质原子在晶体中的存在方式。 当杂质原子以填隙原子的形式存在时,每跳一步所花的时间为: 其中?0为杂质原子的振动频率,E是杂质原子从一个间隙跳到另一个间隙时所克服的晶格势垒。 4.5 扩散的微观机构 在此时间内 填隙式杂质原子的扩散系数 设 因为N远大于n2,所以,杂质原子的扩散系数比晶体填隙原子的自扩散系数要大得多。 4.5 扩散的微观机构 典型A+B-离子晶体 离子晶体中的缺陷 A+填隙离子 B-填隙离子 + + + + _ _ + + + _ _ + + _ _ _ + + + _ _ + _ _ _ B-空位 A+空位 4.6 离子晶体热缺陷的迁移 设Ci、Vi分别代表第i种热缺陷的浓度和漂移速度,则四 种缺陷总的电流密度为 其中正电的ei=e,负电荷的ei=-e。 假定各热缺陷的运动是独立的,可分析其中任一种热缺陷来讨论离子缺陷在外电场下的运动情况。 4.6 离子晶体热缺陷的迁移 第四章 晶体中的缺陷与运动 掌握缺陷的基本类型、性质,了解缺陷的统计和扩散理论。 教学目的: 缺陷的含义: 指实际晶体中与理想的点阵结构发生偏差的区域。 4.1晶体缺陷的类型 点缺陷、线缺陷、面缺陷等。 热缺陷、杂质缺陷、非化学计量缺陷等。 晶体中的缺陷与运动 按缺陷的几何形态: 按缺陷形成原因: (1)点缺陷 晶格中的填隙原子、空位、杂质原子等,称为点缺陷,它们所引起晶格周期性的破坏,发生在一个或几个晶格常数的线度范围内。 4.1晶体缺陷的类型 (a)弗仑克尔缺陷 (b)肖特基缺陷 (1)点缺陷 热缺陷 (1)点缺陷 杂质原子 (a)替位式 (b)间隙式 微量杂质缺陷大大改变了晶体的物理性质。 4.1晶体缺陷的类型 (1)点缺陷 色心: 能吸收光的点缺陷。 一种非化学计量比引起的空位缺陷。 离子晶体中负离子空位束缚一个电子的组合。 (a) F心 (b) V心 捕获一个空穴的阳离子空位。 + - + - - + + + - + - - + - + · (a) F心 -e (b) V心 + - + - - - + + - + - - + - + * +e 典型的色心-F心:离子晶体中负离子空位束缚一个电子的组合。在此情况下,空位可以看做是电子的陷阱。为简单起见,势阱的宽度取为离子的尺寸,对典型离子晶体设晶格常数为a,陷阱宽度为a/2。根据量子力学,束缚电子的能量为: 其中为m电子质量,n为整数,n=1时为基态,n=2时为 第一激发态。 4.1晶体缺陷的类型 电子从基态跃迁到第一激发态所吸收的能量 式中ω为吸收光子的角频率,吸收光的波长与晶格常数的平方成正比,即莫罗关系 λ∝a2 可见离子尺寸越小 ,F心吸收光的波长就越短,反之越长。 4.1晶体缺陷的类型 4.1晶体缺陷的类型 (2) 线缺陷 周期性遭受破坏的区域形成一条线。 (a)刃位错 (I) (II) (b)螺位错 (I) (III) (III) (II) (3)面缺陷 小角晶界示意图 4.1晶体缺陷的类型 (a)堆垛层错: 如:ABCABCABCBCABC, 中缺少了一层A面。 可看作由一排刃形位错构成。 (b)小角晶界: 小角晶界的环纹暗场像 晶粒1 晶粒2 晶界 晶界原子排列示意图 (4)体缺陷 大尺寸的亚微观甚至宏观缺陷,如包裹体、裂纹、气孔等。 刃位错的滑移 晶体滑移示意图 滑移面 4.2位错的某些性质 位
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