物理气相传输法制备SiC单晶中碳包裹物研究.pdfVIP

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2017-10-25 发布于北京
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物理气相传输法制备SiC单晶中碳包裹物研究.pdf

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物理气相传输法制备SiC单晶中碳包裹物研究.pdf

第43卷第7期人工晶体学报 V01．43No．7 InclusionsinSiliconCarbide Carbon Single Grown Method Transport byPhysicalVapor YANG Xiao—bo，XU Kun，YANG Yan，CHENXiu-fang，HU Xian-gang Xiang-long，CUIYing—xin，PENG (State 250100，China) KeyLaboratoryofCrystalMaterials，ShandongUniversity，Jinan 22 3March (ReceivedJanuary2014，accepted2014) withadiameterof3inch Abstract：4H．SiCsinglecrystal was、grownbyphysicalvapor of was distributionof connectedcarbon onthesuIfacesource method．Particularweakly particles powder created the a with intentionallyduringgrowthprocessbymountinggraphiteplate muhipleperforative of holesonthesurfaceofthesource betweendistribution round powder．One—to·onecorrespondence carboninclusionsinthe 4H—SiC andthe of wasobserved。 as-grown singlecrystal patterngraphiteplate Theformationmechanismofcarboninclusionwas wasbelievedthatthe ofcarbon proposed．It generation for in in isasourceofcarboninclusions．Themethods carboninclusions particlesgrowthca^rity reducing SiC arefurther cr