与放大因数之间的关系.PPT

* 第三章:雙極性接面電晶體 * 電晶體結構 電晶體的兩種型式: pnp npn 端腳的標示: E – 射極 B – 基極 C – 集極 pnp npn * 電晶體操作 配置的外加電源VEE 與 VCC連接表示如下: 射-基極接面是順偏壓。 基-集極接面是逆偏壓。 * 電晶體內的電流 集極電流是兩種電流組成: 射極電流是集極與基極電流之和: * 共基極組態 基極是電晶體的輸入 (射–基極) 與輸出 (集–基極) 的共同點。 * 共基極放大器 輸入特性 這種曲線表示輸入電流 (IE) 對輸入電壓 (VBE) 之間在不同之輸出電壓(VCB)準位的關係。 * 此曲線圖說明在不同之輸入電流(IE)的輸出電流(IC) 對輸出電壓 (VCB) 的關係。 共基極放大器 輸出特性 * 操作區域 主動—放大器的操作範圍。 截止—放大器基本上是截止的，但電壓卻有少許電流。 飽和—放大器是完全導通，但電流卻有少許電壓。 * 概算 射極與基極電流是: 基-射極電壓是: * 理想值: a = 1 實際值: a 介於 0.9 與 0.998之間 阿爾發 (a) 阿爾發 (?) 是直流電流IC 與關係為 IE : 阿爾發 (?) 在交流中的模式: * 電晶體放大 電壓増益: 電流與電壓: * 共射極組態 射極是輸入(基-射極) 與輸出(集-射極)的共同點。 輸入是在基極而輸出是在集極。 * 共射極特性 基極特性 * 共射極放大器電流 理想電流 IE = IC + IB IC = ? IE 實際電流 IC = ? IE + ICBO 當 IB = 0 ?A 時之電晶體是在截止中，但是其中有一些少數電流流動而稱為ICEO。 其中ICBO = 集極少數電流 該值通常小到可以忽略，除非是高功率電晶體以及高溫環境。 * 貝他 (?) 在直流模式: 在交流模式: ? 代表電晶體的放大因數。 (? 有時是以 hfe表示, 該項使用於電晶體模型中之計算) * 由圖形決定? 貝他 (?) 注意: ?AC = ?DC * ? 與 ?放大因數之間的關係： 貝他 (?) 電流之間的關係： * 共集極組態 輸入是在基極而輸出是在射極。 * 共集極組態 這些特性相似於共射極組態，其中垂直軸為 IE. * 在截止區的VCE 是在最大值與IC是在(ICmax= ICEO)的最小值 。 在飽和區的IC 是在最大值與VCE是在 (VCE max = VCEsat = VCEO)的最小值。 電晶體操作在飽和與截止之間的主動區。 每一種組態的操作限制 * 功率消耗 共集極: 共基極: 共射極: * 電晶體規格表 * 電晶體測試 曲線循跡器 提供特性曲線的圖形。 數位電表 某些數位電表可測量 bDC 或 hfe。 歐姆表 * 電晶體端點辨識 * *