以垂直沉浸式液相磊晶法制备高品质氧化锌镁半导体厚膜及其应用.PDF

行 磊 精 類 行 年年 行 參理 理 理 年 藍 更 力 說 來列 料 來 不易 理兩行 磊量 率兩 了 率 温 量 來兩類 行 磊 磊 一、前言 ： 氧化鋅(ZnO)為一個二六族六角纖鋅礦結構之化合物半導體材料 。擁有室溫 3.37eV 的寬直接能隙 、激子束縛能高達60meV ，價格低廉、安全無毒且來源無 虞，由於發光波段屬藍/ 紫外光 ，且材料本身於可見光區呈現透明，因此於透明 電極 、太陽能電池、紫外光LED 、LD ，紫外光感測器等應用領域深具潛力[1] 。 國外產學界對此材料單晶體製備技術主要有水熱合成法 、助融劑法、氣相 製成法等 ，其中以低溫製備(300-430℃)之水熱合成法(Hydrothermal, HT)生產之 3 -2 ZnO 單晶片品質較為穩定且優良 ，擁有室溫下低晶體缺陷密度(10 cm ) 、電子 2 -1 -1 遷移率為 200cm V s 的標準實績[2] 。 1959 年美國 Laudise 等人以水熱合成法成功製備出 ZnO 單晶[3] ，而日本科 學家 Ohshima 等則於 2003 年以 KOH 和 LiOH 混合水溶液水熱法生長出高品質