光电技术模拟考试试卷C卷.PDF

光电技术_模拟测验 C 《 光电技术》模拟考试试卷 （C ）卷 考试形式： 笔试 考试时间： 120 分钟 满分：100 分。 题 号 一 二 三 四 五 六 七 总 分 得 分 评阅人 注意：1、所有答题都须写在此试卷纸密封线右边，写在其它纸上一律无效。 2 、密封线左边请勿答题，密封线外不得有姓名及相关标记。 得分 一、选择题（共 10 小题，每小题 2 分，共 20 分） 注意：以下每小题，仅有唯一正确答案，多选计 0 分。 1. 光谱光视效率V(505nm)=0.40730 ，波长为505nm、1mW的辐射光，其光通量 为 A 683lm B 0.683lm C 278.2 lm D 0.2782 lm （ ） 2. 下列探测器的光－电响应时间，由少数载流子的寿命决定： （ ） A 线性光电导探测器 B 光电二极管 C 光电倍增管 D 热电偶和热电堆 3. 锁定放大器是基于 （ ） A 自相关检测理论 B 互相关检测理论 C 直接探测量子限理论 D 相干探测原理 4. 下列光电器件, 哪种器件正常工作时需加100-200V的高反压 （ ） A Si光电二极管 B PIN光电二极管 C 雪崩光电二极管 D 光电三极管 5 ．有关半导体对光的吸收,下列说法正确的是 （ ） A 半导体对光的吸收主要是非本征吸收 B 本征半导体和杂质半导体内部都可能发生本征吸收 C 产生本征吸收的条件是入射光子的波长要大于波长阈值 D 产生本征吸收的条件是入射光子的频率要小于频率阈值 6. 在常温下，热探测器的D*~108--109 cm·Hz1/2/W ，而D * 的极限值可达到 1.8×1010cm·Hz1/2/W 。实际热探测器的D*低于极限值的主要原因是下列因素难以 忽略 （ ） 光电科学与工程学院 College Of Optoelectric Science and Engineering 1 光电技术_模拟测验 C A热辐射 B 热传导和热对流 C 热传导和热辐射 D 以上都不是 7. 表中列出了几种国外硅APD 的特性参数。 型 号 光敏面 电流灵敏度 暗电流 结电容 等效噪声功率 响应 工作 直径 ( A/ W) ( nA) (pF) (f W/ Hz ) 时间 电压 ( mm) (@1060nm) (@100kHz) (@990nm) ( ns) ( V) C30817E 0.8 75 50 2 7 2 275 －425 C30872E 3 45 100 10 11