第7课80C51并行扩展技术.ppt

第7章 80C51并行扩展技术 本章要点 80C51控制总线，有以下几条： ① ALE：输出，用于锁存P0口输出的低8位地址信号， 与地址锁存器门控端G连接。 二、并行扩展寻址方式 存储器片内存储单元子地址： 由与存储器地址线直接连接的地址线确定； 存储器芯片地址： 由高位地址线产生的片选信号确定。 高位地址线直接连到存储器芯片的片选端。图中芯片是2K* 8位 缺点：①芯片地址空间不连续； ②存在地址重叠现象。 通过译码器将高位地址线转换为片选信号。 §7-2 并行扩展外ROM ② 高位地址：视EPROM芯片容量大小。2764需5位，P2.0～P2.4与2764 A8～A12相连；27128需6位，P2.0～P2.5与27128 A8～A13相连。 ① 地址线、数据线仍按80C51一般扩展外ROM的方式连接。 ② 片选线一般由80C51高位地址线控制，并决定E2PROM口地址。 ③ 将E2PROM用作外ROM时，80C51 PSEN与E2PROM OE端相连。由80C51的PSEN控制E2PROM的读出(输出允许OE)。 ④ 将E2PROM当作外RAM时，因需要对E2PROM进行在线擦写，因此80C51的WR与E2PROM WE端相连，此时应使用MOVX指令，且应注意E2PROM的地址范围与外RAM不能重复重迭，否则出错。 E2PROM用作外ROM时， 执行MOVC指令，读选通由PSEN控制； E2PROM用作外RAM时， 执行MOVX指令，读选通由RD控制。 读E2PROM时， 速度与EPROM相当，完全能满足CPU要求。 写E2PROM时， 速度很慢，因此，不能将E2PROM当作一般RAM使用。每写入一个（页）字节，要延时10mS以上，使用时应予以注意。 §1-1 并行扩展外RAM 1、80C51扩展外RAM时典型连接电路 ⑴ 地址线、数据线仍按80C51一般扩展ROM时方式连接，高位地址线视RAM芯片容量，6116需3根，6264需5根。 ⑵ 片选线一般由80C51高位地址线控制，并决定RAM的口地址。 6264有2个片选端只须用其一个，一般用CE1，CE2直接接Vcc。 按图7-12，6116的地址范围是7800H～7FFFH； 按图7-13，6264的地址范围是6000H～7FFFH（无关位为1）。 ⑶ 读写控制线由80C51的RD、WR分别与RAM芯片的OE、WE相接。 2、80C51同时扩展外ROM和外RAM时典型连接电路 ⑴ 地址线、数据线仍按80C51一般扩展外ROM时方式连接。 ⑵ 片选线，因外ROM只有一片，无需片选。2764 CE直接接地，始终有效。外RAM虽然也只有一片，但系统可能还要扩展I/O口，而I/O口与外RAM是统一编址的，因此一般需要片选，6264 CE1接P2.5，CE2直接接Vcc，这样6264的地址范围为C000H～DFFFH，P2.6、P2.7可留给扩展I/O口片选用。 ⑶ 读写控制线，读外ROM执行MOVC指令，由PSEN控制2764 OE，读写外RAM 执行MOVX指令，由RD控制6264 OE，WR控制6264 WE。 一、典型应用电路 解：编程如下： 7.4.2、74377扩展输出口 74377为带有输出允许控制的8D触发器。D0～D7为8个D触发器的D输人端；Q0～Q7是8个D触发器的Q输出端；时钟脉冲输入端CLK，上升沿触发，8D共用； OE为输出允许端，低电平有效。当74377 OE端为低电平,且CLK端有正脉冲时，在正脉冲的上升沿，D端信号被锁存，从相应的Q端输出。 输入 输出 OE CLK D Q L × × 不变 L 1 l L 0 0 × 0 × 不变 二、典型应用电路 80C51单片机的WR和P2.5分别与74377 CLK端和输出允许端OE相接。P2.5决定74377地址为DFFFH。 * 并行扩展总线组成(地址、数据、控制总线) 并行扩展寻址方式（线选法、译码法） 并行扩展EPROM 并行扩展E2PROM 并行扩展RAM 用74系列芯片并行扩展I/O口 扩展总线驱动能力 80C51系列单片机有很强的外部扩展能力。外部扩展可分为并行扩展和串行扩展两大形式。 早期的单片机应用系统以采用并行扩展为多，近期的单片机应用系统以采用串行扩展为多。 外部扩展的器件可以有ROM、RAM、I/O口和其他一些功能器件，扩展器件大多是一些常规芯片，有典型