CMOS集成电路版图设计.ppt

第五章 MOS电路版图设计;§5-1 MOS管图形尺寸的设计; 思考题;5.1.1 MOS管宽长比(W/L)的确定 1. NMOS逻辑门电路;5.1.1 MOS管宽长比(W/L)的确定 1. NMOS逻辑门电路（续）;5.1.1 MOS管宽长比(W/L)的确定 2. CMOS逻辑门电路;5.1.1 MOS管宽长比(W/L)的确定 2. CMOS逻辑门电路（续）;5.1.1 MOS管宽长比(W/L)的确定 3. 传输门电路;5.1.2 MOS管沟道长度(L)的确定;5.1.3 MOS管沟道宽度(W)的确定;5.1.4 MOS管源漏区尺寸的确定;§5-2 版图的布局布线; 思考题;5.2.1 布局1.布局的基本原则;5.2.1 布局2.布局示例1 电子表芯片;5.2.1 布局2.布局示例2 存储器模块;5.2.2 布线1. 布线基本原则;5.2.2 布线2. 布线示例;5.2.3 优化设计 1. 源漏区面积优化;5.2.3 优化设计 2. 器件排序优化;5.2.3 优化设计 3. 宽沟器件的优化设计;5.2.3 优化设计 4. 复用单元的设计;§5-3 CMOS电路的抗闩锁设计; 思考题;5.3.1 CMOS电路中的闩锁效应;5.3.2 抗闩锁设计的基本原则;5.3.3 内部电路的抗闩锁设计; 版图示例1; 版图示例2; 版图示例3;5.3.4 芯片外围电路的抗闩锁设计;5.3.4 芯片外围电路的抗闩锁设计双环结构示意图;5.3.4 芯片外围电路的抗闩锁设计输出驱动单元局部版图示例;§5-4 MOS电路的抗静电设计; 思考题;5.4.1 MOS电路抗静电设计的必要性;5.4.1 ESD模式分类;5.4.1 ESD模式分类;5.4.1 ESD模式分类;5.4.1 ESD模式分类;5.4.1 ESD模式分类;5.4.1 集成电路产品的ESD规格;5.4.2 MOS电路抗静电设计思想;5.4.3电阻-二极管保护电路 1. 基本原理;5.4.3电阻-二极管保护电路 1. 基本原理（续）;5.4.3电阻-二极管保护电路 2. 版图示例;5.4.4 MOS晶体管保护电路 1. 基本原理;5.4.4 MOS晶体管保护电路 2.版图示例;§5-5 CMOS数字集成电路版图设计方法; 思考题;5.5.1全定制（full-custom)设计方法1.概念及特点;5.5.1全定制（full-custom)设计方法2.常用的CAD工具;5.5.1全定制（full-custom)设计方法3.版图举例;5.5.2标准单元（Standard Cell）设计方法 1.概念;5.5.2标准单元（Standard Cell）设计方法 2.特点;5.5.2标准单元（Standard Cell）设计方法 3.芯片结构;5.5.2标准单元（Standard Cell）设计方法 4.标准单元库的组成;5.5.2标准单元（Standard Cell）设计方法 5.标准单元电路设计考虑;5.5.2标准单元（Standard Cell）设计方法 6.标准单元版图设计考虑;5.5.2标准单元（Standard Cell）设计方法 7.标准单元版图举例;5.5.2标准单元（Standard Cell）设计方法 8.标准单元法芯片版图设计一般过程;5.5.2标准单元（Standard Cell）设计方法 9.标准单元法设计阶段性局部版图;5.5.3门阵列（Gate Array）设计方法 1.门阵列母片;5.5.3门阵列（Gate Array）设计方法 2.门阵列法芯片设计;5.5.3门阵列（Gate Array）设计方法 3.门阵列法的特点;5.5.3门阵列（Gate Array）设计方法 3.门阵列法芯片结构;5.5.3门阵列（Gate Array）设计方法 4.内部单元阵列举例;5.5.3门阵列（Gate Array）设计方法 5.内部单元电路连线库举例;5.5.3门阵列（Gate Array）设计方法 6.I/O单元结构;5.6.4 积木块(BBL)设计方法(1)概念及特点;5.6.4 积木块(BBL)设计方法(2)芯片结构;5.6.4 积木块(BBL)设计方法(3)芯片版图实例;5.6.5 可编程逻辑器件设计方法;5.6.5 可编程逻辑器件设计方法;VDD