试验目的试验原理思考题仪器介绍试验内容掌握pn结-物理试验中心.ppt

硅光电池特性的研究 物理实验中心 内容提要 实验目的 实验原理 思考题 仪器介绍 实验内容 掌握PN结形成原理及其工作机理 掌握硅光电池工作原理及其工作特性 实验目的 TKGD－1型硅光电池特性实验仪 仪器介绍 TKGD－1型硅光电池特性实验仪 实验原理 一 PN结的形成及工作原理 当P型和N型半导体材料结合时，P 型（ N型）材料中的空穴（电子）向N 型（ P 型）材料这边扩散，扩散的结果使得结合区形成一个势垒，由此而产生的内电场将阻止扩散运动的继续进行，当两者达到平衡时，在PN结两侧形成一个耗尽区。 零偏 负偏 正偏 当PN结反偏时，外加电场与内电场方向一致，耗尽区在外电场作用下变宽，使势垒加强；当PN结正偏时，外加电场与内电场方向相反，耗尽区在外加电场作用下变窄，势垒削弱。 二 硅光电池的工作原理 硅光电池是一个大面积的光电二极管，它可把入射到它表面的光能转化为电能。当有光照时，入射光子将把处于介带中的束缚电子激发到导带，激发出的电子空穴对在内电场作用下分别漂移到N型区和P型区，当在PN结两端加负载时就有一光生电流流过负载。 光电池结构示意图 （1） PN结两端的电流： 光电池处于零偏时，V＝0，流过PN结的电流I＝－IP ；光电池处于反偏时（比如:取V ＝－5V），流过PN结的电流I ＝－IP- Is ，当光电池用作光电转换器时，必须处于零偏或反偏状态。 （2）光电流IP与输出光功率Pi之间的关系： R 为响应率，R 值随入射光波长的不同而变化，对不同材料制作的光电池R值分别在短波长和长波长处存在一截止波长。 三 发光二极管（LED）的工作原理 当某些半导体材料形成的PN结加正向电压时，空穴与电子在PN结复合时将产生特定波长的光，发光的波长与半导体材料的能级间隙Eｇ有关： λ＝h c / Eｇ 发光二极管输出光功率P与驱动电流I的关系： P = ηEp I/ e 本实验用一个驱动电流可调的红色超高亮度发光二极管作为实验用光源。 一、 硅光电池零偏时短路光电流和开路电压与输入光信号关系特性测定 将硅光电池输出端连接到I / V转换模块输入端，将I / V转换模块输出端连接到数字电压表头的输入端，调节发光二极管输出光强，从100开始到1900，分别测定光电池在零偏时光电流与输入光信号关系。 将硅光电池输出端连接到数字电压表头的输入端，调节发光二极管输出光强，从100开始到1900，分别测定光电池在零偏时光电压与输入光信号关系。 实验内容 二、 硅光电池光电流与负载电阻的关系 用连线将硅光电池输出端一端接负载电阻一端，负载电阻另一端接I/V转换模块光电流输入一端，而电流输入另一端接硅光电池输出另一端。 I/V转换模块电压输出端与接受光强数字电压表相连。 输入光强度800不变时，测定当负载在 100Ω～1900Ω的范围内变化时，光电池的输出电流随负载电阻变化关系曲线。 输入光强度1800不变时，测定当负载在 40kΩ～90kΩ的范围内变化时，光电池的输出电流随负载电阻变化关系曲线。 三、 硅光电池光电压与负载电阻的关系 用连线将硅光电池输出接负载电阻两端，负载电阻两端再接入数字电压表。 输入光强度800不变时，测定当负载在 100Ω～1900Ω的范围内变化时，光电池的输出电压随负载电阻变化关系曲线。 输入光强度1800不变时，测定当负载在 40kΩ～90kΩ的范围内变化时，光电池的输出电压随负载电阻变化关系曲线。 光电池在工作时为什么要处于零偏或负偏？ 光电池和我们日常使用的干电池电学性能有什么区别？ 光电池的正极对应的是PN结的P区还是N区？ 思考题