三极管总结-IGBT，BJT，MOS，MOSFET.docx

三极管大总结IGBT定义：IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor(绝缘栅双极型晶体管)的缩写，IGBT是由MOSFET和双极型晶体管复合而成的一种器件，其输入极为MOSFET，输出极为PNP晶体管，它融和了这两种器件的优点，既具有MOSFET器件驱动功率小和开关速度快的优点，又具有双极型器件饱和压降低而容量大的优点，其频率特性介于MOSFET与功率晶体管之间，可正常工作于几十kHz频率范围内，在现代电力电子技术中得到了越来越广泛的应用，在较高频率的大、中功率应用中占据了主导地位。主要应用：直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。目前，应用在中压大功率领域的电力电子器件，已形成GTO、IGCT、OGBT、IEGT相互竞争不断创新的技术市场，在大功率（1MW），低频率（1kHz）的传动领域，如电力牵引机车领域GTO、IGCT有着独特的优势，而在高载波频率、高斩波频率下,IGBT、IEGT有着广阔的发展前景，在现阶段中压大功率变频领域将由这4种电力电子器件构成其主流器件。IGBT最大的优点是无论在导通状态还是短路状态都可以承受电流冲击。它的并联不成问题，由于本身的关断延迟很短，其串联也容易。尽管IGBT模块在大功率应用中非常广泛，但其有限的负载循环次数使其可靠性成了问题，其主要失效机理是阴极引线焊点开路和焊点较低的疲劳强度，另外,绝缘材料的缺陷也是一个问题。此外在电动机马达驱动器、变频冷气、变频冰箱，甚至是大瓦特输出音响放大器的音源驱动元件。 IGBT特点在于可以大功率场合可以快速做切换动作，因此通常应用方面都配合脉冲宽度调变（Pulse Width Modulation,PWM）与低通滤波器（Low-pass Filters）。主要企业网站WWW.INFINEON.COM WWW.FAIRCHILDSEMI.COM WWW.TOSHIBA.COM WWW.IXYS.COM WWW.IRF.COM WWW.FUJI.COM主要参数：（以下典型值均取自FGA25N120ANTD芯片）VCESCollector-Emitter Voltage耐压典型值1200 VVGESGate-Emitter Voltage门限电压典型值± 20 VICCollector Current 集电极电压典型值@ Tc = 25°C 50 A@ TC= 100°C 25 AICMPulsed Collector Current (Note 1)脉冲集电极电流典型值75 AIFDiode Continuous Forward Current 二极管持续导通电流典型值@ TC = 100°C 25 AIFMDiode Maximum Forward Current 二极管最大导通电流典型值150 APDMaximum Power Dissipation 最大功耗典型值@ TC = 25°C 312 W@ TC = 100°C 125 WTJOperating Junction Temperature 工作的节点温度典型值-55 to +150 °CTstgStorage Temperature Range存储温度范围典型值-55 to +150 °CTLMaximum Lead Temp. for solderingPurposes, 1/8” from case for 5 seconds最大焊点温度（1/8取自于焊接时间为5s）300ICES Collector Cut-Off Current集电极开路电流条件VCE = VCES, VGE = 0V 典型值3 mAIGESG-E Leakage Current 漏极-发射极漏电流条件VGE = VGES, VCE = 0V 典型值± 250 nAVGE(th) G-E Threshold Voltage漏极-发射极门槛电压条件IC= 25mA, VCE = VGE最小值3.5 典型值5.5 最大值7.5 VVCE(sat) Collector to EmitterSaturation Voltage集电极-发射极饱和压降条件IC = 25A, VGE = 15V 最小值2.0 典型值2.5 V条件IC = 25A, VGE = 15V,TC = 125°C典型值2.15 V条件IC = 50A, VGE = 15V 典型值2.65 VCiesInput Capacitance输入电容条件VCE = 30V, VGE = 0V,f = 1MHz典型值 3700 pFCoesOutput Capacitance输出电容条件VCE = 30V, VGE = 0V,f = 1MHz典型值130 pFCresReverse Tr