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CrCuN薄膜择优取向与价电子结构的关系研究
年第 期( )卷
3296 2013 22 44
文章编号: ( )
1001-9731201322-3296-05
CrCuN薄膜择优取向与价电子结构的关系研究∗
1 2 1 2
, , ,
谈淑咏 张旭海 张 炎 蒋建清
( , ; , )
1.南京工程学院 材料工程学院 江苏 南京 211167 2.东南大学 材料科学与工程学院 江苏 南京 211189
: ( )
摘 要 基于固体和分子经验电子理论 计算
EET
2 Cu的价电子结构及相关晶面电子密度计算
了 和 的价电子结构及晶面电子密度的变化,
CrN Cu
,
分析了 纳米复合膜择优取向与价电子结构的 是 型面心立方结构 常温晶格常数
CrCuN Cu A1 a=
。 , / , ,
关系 计算结果显示 ( ) ( )具有较低的电子 每个晶胞中有 个 原子 晶胞内原子
CrN100 Cu111 0.36150nm 4 Cu
, 。 ,
密度差 薄膜中易存在此种界面结构 当薄膜中 分布及键络分布如图 所示 据此可计算实验键距分
Cu 1
, ( ) ,
含量较多时 Cu易于 111择优生长 而 CrN则按 2 6
别为 , , 。
D = aD =aD = a
( ) /( ) , nA nB nC
100CrN 111Cu位向关系在其表面形核 从而有助于 2 2
[ ] 。
CrCuN薄膜中CrN 200取向的增强 该计算结果与
,
实验事实相符合 为Cr-N基纳米复合膜的微结构研究
和设计提供了新思路。
: ; ;
关键词 EET CrCuN纳米复合膜 界面电子密度
;
差 择优取向
中图分类号: ; ; 文献标识码:
TB3TG14TG17 A
: /
DOI10.3969 .issn.1001-9731.2013.22.
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