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常压MOCVD生长ZnO薄膜及其性质-发光学报
25 4 Vol . 25, No. 4
2004 8 CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCE Aug . , 2004
: 1000-7032 2004) 04- 0393-03
常压MOCVD生长ZnO薄膜及其性质
王立, 莫春兰, 熊传兵, 蒲勇, 陈玉凤, 彭绍琴, 江风益
, 330047)
: MOCVD 0001) ZnO) AFM PL Hall X
/
AFM , , , RMS) 6 . 257 nm, 1. 895 m
PL 380 nm , 15 nm Hall
17 - 3 2 - 1 - 1
2 10 cm , 75 cm V s X
/ , 0. 04,
3 . 1 %
m in
: ; ; ; ; X ; /
: O472. 3 : A
0001) , DEZn Zn , H O O , N
1 引 言 2 2
, ,
GaN ZnO , 20 min,
GaN , 700 , DEZn
, ZnO: 3. 37 eV, GaN: 3. 39 eV) 1. 89 10- 7 kg/ s, H O 1. 08 10- 5
2
ZnO: a= 3. 250, c= 5 . 205; GaN: a= kg/ s1 h , 3 m
3. 189, c= 5. 182) ZnO
ZnO : 60 meV, GaN: 27 meV) 3 结果和讨论
ZnO GaN
ZnO
, ,
, :
Rf-MS) [ 1, 2] , PLD) [ 3] ,
,
EBV) [ 4] , MBE) [ 5, 6] ,
GaN , 1
MOCVD) [ 7] MOCVD
1) AFM ,
, ,
, , RMS
MOCVD GaN
6. 257 nm 2 1)
, ZnO
,
1. 895 m
2 实 验 Hall ,
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