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二氧化钒薄膜的低温制备及其性能研究-物理学报
第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报
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二氧化钒薄膜的低温制备及其性能研究
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王利霞 李建平 何秀丽 高晓光
（中国科学院电子学研究所传感技术国家重点实验室，北京 ###$# ）
（ 年 月 日收到； 年 月 日收到修改稿）
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针对)* 薄膜在微测辐射热计上的应用，采用射频反应溅射法，在室温下制备氧化钒薄膜；研究了氧分压对薄
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膜沉积速率、电学性质及成分的影响 通过调节氧分压，先获得成分接近 的非晶化薄膜，再在 空气中氧化
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退火，便可制得高电阻温度系数，低电阻率的 薄膜，电阻温度系数约为 ，薄膜方块电阻为 为 —
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；薄膜在室温下沉积， 下退火的制备方法与微机电加工（ ，简称为 ）工
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艺有很好的兼容性+
关键词：二氧化钒，电阻温度系数，氧分压，射频反应溅射法
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时，须严格控制工艺参数，其中，氧分压的控制尤其
J 引 言 重要，它直接决定薄膜的组分，最终影响薄膜的性
能；不同的文献在制备)* 薄膜时，溅射条件也明
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