第7章 半导体器件、第8章.ppt

1. 本征半导体 7.1.2 PN结的形成及单向导电特性 7.2.3 二极管的主要参数 7.2.4 二极管的开关应用 注 意 7.4.1 基本结构 7.4.2 工作原理 ( 以NPN管为例 ) 1. 电流放大状态 7章完 1. 阻容耦合多级放大电路（图8.4.2） 3. 直接耦合多级放大电路（图8.4.4）两级之间通过导线 连接。 8章完 （3）.三极管内部载流子的运动规律 B E C N N P UBB RB UCC IE IC ①发射结正偏，发射区电子不断向基区扩散。形成发射极电流IE 。 　② 进入P 区的电子少部分与基区的空穴复合，形成电流IB，多数扩散到集电结。 RC ③集电结反偏，对于从基区扩散来的电子是加速电场，集电区收集电子，形成IC。 IB +UCC RB RC T + + – UBE UCE – IC IB IE 2. 饱和状态 +UCC RB RC T + + – UBE UCE – IC IB IE 3. 截止状态 特点: RB足够大，使I B = 0 , I C ≈ 0 , UBE ≈ 0 , UCE ≈ UCC ， 此时三极管的C-E呈截止状态， 相当于开关的断开。 注1：饱和状态和截止状态又称为开关状态。 注2：在模拟电路中，三极管工作在放大状态； 在数字电路中三极管工作在开关状态。 0.7V 4V 0 0.7V 0.3V 0 0 4V 0 判断以下NPN型三极管的工作状态。 放大状态 UC UB UE 且UBE=0.7V（硅管） 饱和状态 UC ＜UB UE 截止状态 UBE=0 例： （N） （P） （N） C B E 转40 第8章 放大电路基础-讲座 8.1 放大电路概述 8.2 单管共发射极放大电路 8.4 多级放大电路 8.5 放大电路中的负反馈 8.3 射极输出器 8.7 功率放大电路 8.6 差动放大电路 8.1.2 放大电路的主要性能指标 1、电压放大倍数 + - ～ + - + - 放大电路 负 载 信 号 源 2. 输入电阻ri : 放大电路输入端对信号源呈现的电阻 3. 输出电阻ro ～ （希望输入电阻尽可能大一些） （希望输出电阻尽可能小一些） : 放大电路输出端对负载呈现的戴维南等效电阻 + - ～ + - + - 负 载 信 号 源 放大电路 4、通频带 用于衡量放大电路对不同频率信号的放大能力。 fL -----下限截止频率 fH -----上限截止频率 fbw-----通频带 （fbw=fH-fL ） -----中频电压放大倍数 §8.4 多级放大电路(为提高电压放大倍数设计) 多级放大电路的组成框图: 输出级 输入 末前级 中间级 输入级 输出 耦合方式：信号源与放大电路之间、两级放大电路之间、放大器与负载之间的连接方式。 常用的耦合方式：直接耦合、阻容耦合和变压器耦合、光电偶合。 8.4.1 多级放大电路的级间耦合方式 第一级 第二级 负载 信号源 两级之间通过电容 连接。 RB1 RC1 C1 C2 RB2 CE1 RE1 + + + + + – RS + – RC2 C3 CE2 RE2 RL + + +UCC + – – T1 T2 缺点：由于电容的隔直流作用，只能放大交流信号，且难于集成化。 优点：由于电容的隔直流作用，各级放大器的工作状态可分别独立设计，互不影响。 2. 变压器耦合多级放大电路（图8.4.3）两级之间通过变压器 连接。 缺点：由于变压器的隔直流作用，只能放大交流信号，且难于 集成化。 优点：由于变压器的隔直流作用，各级放大器的工作状态可 分别独立设计，互不影响；由于变压器的变阻抗作用，易实现 阻抗匹配。 第7章 半导体器件 7.2 半导体二极管；7.4 稳压二极管 7.4 晶体管-半导体三极管 7.1 半导体的基础知识 对于元器件，重点放在正确使用方法，不过多追究其内部机理。 二极管、三极管等是非线性元件，含有非线性元件的电路即非线性电路。 7.5 场效应晶体管（简介） 7.6 半导体光电器件（简介） 半导体：导电能力处于导体和绝缘体之间。如锗、硅等。 7.1 半导体的基础知识 7.1.1 半导体的导电特性 掺杂性：往纯净的半导体中掺入微量杂质后，导电 能力发生质的变化(可做成各种不同用途的半导 体器件，如二极管、三极管等）。 光敏性：当受到光照时，导电能力明显提高。 热敏性：当环境温度升高时，导电能力显著增强。 如单晶硅Si和单晶锗Ge （1)本征半导体的共价键结构 晶体中原子的排列方式 Si Si