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LCD生产工艺流程-精品
CSTN/STN液晶显示屏生产线 定向段 TOP前清洗 TOP印刷 TOP主固化 PI前清洗 PI印刷 PI主固化 PI预固化 摩擦 清洗 清洗:机械清洗如刷洗、冲洗,超声波清洗,臭氧洗、UV清洗,溶剂洗(KOH溶液等)等,评价手段:接触角(小于7度)或蒸汽检查。 PI印刷:电压主要影响因素,定向效果(显示均匀性等)的关键 评价手段:膜厚、尺寸位置、均匀性 固化:主要有炉子固化和热板固化两种 评价手段:温度均匀性、温度曲线 摩擦:用绒毛布在玻璃表面打磨出均匀定向沟槽 评价手段:蒸汽检查摩擦效果 主要不良:PI斜纹/PI白条/PI黑条/显示不均等 TOP/PI印刷标记 热压出货检查对位位置要求:对盒错位要求: SEG线与CF面 R像素偏位覆盖BM层, 刚好进入到另一个像素G或B判定为合 。转印点区域不能有上下电极错开为最佳,错开位置以引起SEG线,COM线同层或不同层之间短路为不合格标准判定; 后段 切割 断粒 插条 灌晶 加压封口 清洗 电测 分色 二次清洗 贴片 COG TAB 模组 主要不良:边蹦/表面划伤/欠灌(LC未灌满)/封口对比度(LC污染或封口污染)/封口处显示黑白点(LC污染或封口污染) 品质检验设备 * LCD LCD制造部 2007年02月08日 LCD工艺流程 曝光 前清洗及涂光刻胶 显影/酸刻 TOP / PI 摩擦 装配 图形段 来料玻璃 清洗 涂感光胶 前烘 曝光 显影 显影检查 后烘 酸刻 图形检查 清洗:机械清洗如刷洗、冲洗,超声波清洗,臭氧洗、UV清洗,溶剂洗等 评价手段:接触角、强光检查表面、显微镜检查 涂感光胶:正性胶、负性胶,我们使用正性胶。 评价手段:膜厚度、显影效果、去除效果 曝光:由光路产生的平行紫外线曝光,接触式、恒温、自动对位 评价手段:光强均匀性、对位精度、图形精度 酸刻:盐酸、硝酸混合物,温度对酸刻效果影响大,温度过低生产效率降低快,过高同光刻胶有反应,生产物质难以脱膜除去。也可以使用4价铁离子作为酸刻剂。 评价手段:线条宽度、微短路、侧蚀 主要不良:断路(ITO线断开)/短路(不该相连的两条ITO线连在一起) 浮胶 微断 微断 短路 短路 短路 原材料玻璃极板 ITO层 Substrate 工艺环境:工艺环境:净房洁净度1000级,温度:23±2℃,湿度:55±15%RH。工艺条件:KOH:纯水=3:100(3~4%KOH溶液);温度:40±2℃, IR炉板实际温度100±10℃。每月测一次。UV照度:≥19.6mu/cm2 .每月测一次.工艺重点管控:清洗液及DIW的温度、流量,玻璃传送的节拍,毛轮的压入量,气刀的压力、角度,DIW的电阻率(离子的含量)不小于15兆欧,过滤芯的规格及定期更换等。 工艺环境:净房洁净度100级,温度:23±2℃,湿度:55±5%RH,黄灯区。预烘温度:玻璃表面实际温度100 ±5℃,100 ~120秒。光积量为100~150mj/cm2 。工艺重点管控:光刻胶粘度,涂胶轮转数、压入量,光刻胶前烘温度及时间,洁净度等。光强强度及其分布,曝光机内温度,环境的温湿度及洁净度,CF玻璃的流向及曝光精度(±2u)等 工艺环境:净房洁净度1000级,温度:23±2℃,湿度:55±10%RH。工艺条件:显影剂溶液的浓度:0.70~0.73%的KOH, 温度:23±2℃,坚膜炉温度:玻璃表面实际温度130±5℃,100 ~120秒。 工艺重点管控:显影液浓度及温度、喷淋的流量,玻璃节拍,过滤芯规格及定期更换,光刻胶后烘温度及时间,气刀压力等。 工艺环境:净房洁净度1000级,温度:23±2℃,湿度:55±10%RH。工艺条件:酸刻液配比:纯水:HCl:HNO3=10:20:1(体积比);HCl浓度36~38%,HNO3浓度65~68%,酸刻液当量浓度:7.0~7.5N,脱膜液:5±1%KOH溶液;温度:40±1℃ 工艺重点管控:酸刻液/脱膜浓度及温度、喷淋
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