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04工艺-注入
IC制造流程
集成电路工艺之
Materials IC Fab
Dielectric Test
Metalization CMP
deposition
Wafers
Thermal Implant Etch Packaging
离子注入 Masks Processes PR strip PR strip
Photo- Final Test
lithography
Design
内容
半导体掺杂
（1）离子注入与扩散掺杂
（2 ）注入离子的微观运动过程
（3 ）离子路径和浓度分布 • 两种基本掺杂方法
（4 ）相关效应 – 扩散掺杂
（5 ）晶格损伤和修复
– 离子注入掺杂
（6 ）离子注入机系统介绍
（7 ）离子注入的典型应用举例
扩散掺杂 扩散掺杂
• 最先被采用的半导体掺杂技术
自1970年中期开始离子注入技术
• 是早期集成电路制造中最重要的技术之一
，高温炉通称为“扩散炉” 。 被广泛采用。
• 需在高温炉中进行
扩散技术目前主要应用于杂质的
• 需使用二氧化硅作掩膜
• 无法独立控制结深和浓度
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