2016电子陶瓷ch3(精简).pdf

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2016电子陶瓷ch3(精简)

第三章 高介电容器瓷 3.1 § 概述 3.2 § 高介电容器瓷的介电特性 3.3 § 高频电容器瓷的主要原料 3.4 § 中高压陶瓷电容器瓷 1/67 §3-1 概述 1、电容器瓷分类: 低介(ε10,tgδ小) 装置瓷 高频 中介(ε=12~50 ,tgδ小) (I类瓷) 高介(ε=60~200,tgδ小) 低频:高ε,较大的tgδ 强介陶瓷或称铁电陶瓷 (II类瓷) III类瓷:超高ε 半导体陶瓷 2/67 §3-1 概述 2、对电容器瓷的一般要求: ①、介电系数大,以制造小体积、重量轻的陶瓷电容 器,整机体积、重量减小 ②、介质损耗小,保证回路的高Q (1/tgδ )值。高介 电容器瓷工作在高频下时ω↑、tgδ↑ 。 ③、对I类瓷,介电系数的温度系数α 要系列化。对II ε 类瓷,则用ε随温度的变化率表示 (非线性)。 1 dε ε ε − α 25o C I类瓷 ε II类瓷 TC ε dT ε 25o C 3/67 §3-1 概述 ④、体积电阻率ρ 高 (ρ 1012Ω·cm ) v v a、电介质陶瓷中存在漏电流:R=U/I b、为保证高温时能有效工作,要求ρ 高 v ⑤、抗电强度E 要高 p a、小型化,使Ε=V/d↑ b、陶瓷材料的分散性,即使ΕE ,可能 p 仍有击穿 4/67 §3-2 高介电容器瓷的介电特性 3-2-1 高介电容器瓷的分类 § 3-2-2 α 值不同的原因 § ε 3-2-3 混合法则 § 3-2-4 含钛陶瓷的介电性能 §

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