IC设计基础笔试面试常见题目(含详细答案).pdf

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IC设计基础笔试面试常见题目(含详细答案)

EE 笔试/面试题目集合分类--IC 设计基础 模拟电路 1、基尔霍夫定理的内容是什么?(仕兰微电子) (1 )基尔霍夫电流定律,简记为 KCL ,是电流的连续性在集总参数电路上的体现,其物理背 景是电荷守恒公理。基尔霍夫电流定律是确定电路中任意节点处各支路电流之间关系的定律, 因此又称为节点电流定律,它的内容为:在任一瞬时,流向某一结点的电流之和恒等于由该结 点流出的电流之和; 在列写节点电流方程时,各电流变量前的正、负号取决于各电流的参考方向对 该节点的关系(是“流入”还是“流出” );而各电流值的正、负则反映了该电流的实际方向与参考 方向的关系(是相同还是相反)。通常规定,对参考方向背离(流出)节点的电流取正号,而 对参考方向指向(流入)节点的电流取负号。 (2 )第二定律又称基尔霍夫电压定律,简记为 KVL ,是电场为位场时电位的单值性在集总参 数电路上的体现,其物理背景是能量守恒公理。基尔霍夫电压定律是确定电路中任意回路内各 电压之间关系的定律,因此又称为回路电压定律,它的内容为:在任一瞬间,沿电路中的任一 回路绕行一周,在该回路上电动势之和恒等于各电阻上的电压降之和; KVL 定律是描述电路中组成任一回路上各支路(或各元件)电压之 间的约束关系,沿选定的回路方向绕行所经过的电路电位的升高之和等于电路电位的下降之和 2、平板电容公式(C= εS/4 πkd) 。 S  S  S C r o r d d 4kd , 1 其中,o 为真空中的介电常数; 4k r 为相对介电常数; S 为平行板的面积; d 为平行板之间的距离; 3、最基本的三极管曲线特性。 4、描述反馈电路的概念,列举他们的应用。(仕兰微电子) 负反馈种类: (电压并联反馈(shunt-shunt feedback ),电流串联反馈 (series-series feedback ),电压串联反馈 (series-shunt feedback )和电流并联反馈 (shunt-series feedback ); 负反馈的优点: 4.1 降低放大器的增益灵敏度,因此广泛应用在放大器的设计中(amplifier design ); 4.2 改变输入电阻和输出电阻; 4.3 改善放大器的线性和非线性失真,因此高质音频放大器通常在power output stage 采用负反馈; 4.4 有效地扩展放大器的通频带,因此负反馈广泛应用在broadband amplifiers 中。 5、三极管和MOS 管的小信号等效模型 5.1 三极管(bipolar transistor ): 三极管的主要参数: ICBO :集电结反向饱和电流;ICEO :集电极和发射极间的穿透电流,ICEO= (1+beta)ICBO ;极间 反向饱和电流越小,三极管质量越好;ICBO (ICEO )、beta 具有正的温度系数;VBE 具有负的温度 系数-2~3mV/K; 集电极最大允许电流ICM:是指beta 下降到其额定值得2/3 时允许的最大集电极电流; 集电极最大允许功率损耗 PCM:是指集电结上允许损耗功率的最大值;Pc=Ic*VCE;选择 Ic 、VCE 应保证PcPCM; 反向击穿电压:V (BR )EBO V (BR )CEO V (BR )CBO f  f f 共发射极截止频率 ,特征频率 T ,共基极截止频率 :  (f )  o f ;|  (f  ) | o ;|  (f T ) | 1; 1j 2

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