MOS器件高温特性模拟.pdf

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2017-09-17 发布于湖北
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MOS器件高温特性模拟

0103C1 Wuhan 430074,Hubei,P.R.China . . 2004 6 1 0103C1 Wuhan 430074,Hubei,P.R.China . . MOS 0 103 430074 MOS n MOS LabVIEW MOS MOS Abstract: In this paper, temperature characteristics of physical parameters in semiconductor are studied, such as carrier transfer rate and intrinsic concentration, etc. The traditional models are also modified. Then approximate analytic models of MOS devices for leakage current ( ΙR ), threshold voltage ( V ), transfer characteristics and transconductance ( g ) are proposed. NMOS device is T m taken for example, by using LabView (a tool for simulating) to carry out numerical simulation. Then some conclusions of the changes of these characteristic parameters in high temperature are achieved. These conclusions could be used as references in analyzing and designing high-temperature MOS device. Keywords: Semiconductor physics, MOS device, High-temperature characteristics, Approximate characteristics, Numerical simulation