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MOSFET雪崩特性及电源案例解析
MOSFET雪崩特性及电源案例解析
陈桥梁
西安龙腾新能源科技发展有限公司
MOSFET雪崩能力
雪崩电流IAS和IAR :下图ID峰值
单次雪崩能量EAS:一次性雪崩期间所能承受的能量,
以Tch=150℃ 为极限
重复雪崩能量EAR:所能承受以一定频率反复出现的雪崩能量,
以Tch=150℃ 为极限
单次雪崩 重复雪崩
2
MOSFET雪崩能力
雪崩能力
雪崩电流 雪崩能量
IAS ,IAR EAS ,EAR
寄生BJT导通,MOSFET 趋 MOSFET局部元胞过热损
于开通。 坏。
MOSFET DIE雪崩损坏
• Source CT bottom burn out
抗雪崩能力测试电路
TJM–TC = PDM*ZθJC (t)
MOSFET雪崩能量和温升的关系
V =650V V =650V
AV AV
T =25℃ T =25℃
starting starting
雪崩能量和初始结温以及电流的关系
雪崩电流和雪崩时间的关系
MOSFET雪崩电流路径及影响
不同类型MOSFET雪崩参数比较
FDP10N60NZ TK11A65D TK12A60U TK12A60W
雪崩电流IAR 10 11 12 3
多次雪崩能量EAR 18.5 4.5 3.5
mJ
单次雪崩能量EAS 550 506 69 180
mJ
单次雪崩测试条 VDD=50V, VDD=90V, VDD=90V, VDD=90V,
件 Tc=25Deg, Tc=25Deg, Tc=25Deg, Tc=25Deg,
L=11mH, L=7.4mH, L=0.84mH, L=34.9mH,
RG=25Ω, RG=25Ω, RG=25Ω, RG=25Ω,
IAR=10A IAR=11A IAR=12A IAR=3.0A
不同类型MOSFET雪崩参数比较
AOT11S60 FCP11N60N SPP11N60C3 IPP65R380C6
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