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SD2400 高精度实时时钟RAM充电系列 V2.2 高精度实时时钟－SD2400RAM (V2.2) 内置晶振、NVSRAM、电池、IIC 串行接口、多种中断输出、高精度、免调 1.概述 SD2400RAM系列是一种具有内置晶振、NVSRAM、IIC串行接口的高精度实时时钟芯片, CPU可使用 该接口通过5位地址来寻址读写片内32字节的数据(包括时间寄存器、报警寄存器、控制寄存器、通 用SRAM寄存器)。 SD2400RAM系列芯片可保证时钟精度为±5ppm(在25±1℃下)，即年误差小于2.5 分钟；该芯片 内置一次性电池,在电池使用寿命可在五年左右(工业级和民用级时间不同)；该芯片内置时钟精度数字 调整功能，可以在很宽的范围内校正时钟的偏差(分辨力3ppm)，通过外置的温度传感器可设定适应温 度变化的调整值，实现在宽温范围内高精度的计时功能。 SD2400RAM系列芯片内置单路定 /报警中断输出,报警中断时间可最长设至100年;该系列芯片可 满足对实时时钟芯片的各种需要，有工业级产品可供选择，且管脚与以前的SD2000A兼容,是在选用高 精度实时时钟时的理想选择。 2.主要性能特点：  低功耗：典型值1.1μA （V =3.0V,Ta=25℃）。 BAT NVSRAM 4.5 5.5V 0 70  工作电压：3.3V～5.5V(其中 在 ～ 工作),工作温度：民用级 ℃～ ℃，工业 40 85 级－ ℃～ ℃。  标准IIC总线接口方式,最高速度400kHZ。  年、月、日、星期、时、分、秒的BCD码输入/输出,并可通过独立的地址访问各时间寄存器。  闰年自动调整功能(从2000年~2099年)。  可选择12/24小时制式。  三种中断, 均可选择从INT脚输出, 并具有两个中断标志位。  可设定并自动重置的单路报警中断功能（时间范围最长设至100年）,年、月、日、星期、 、 分、秒报警共有96种组合方式，并有单事件报警和周期性报警两种中断输出模式。  周期性频率中断输出:从32768Hz~1/16Hz……1秒共十五种方波脉冲。  自动重置的8位倒计时定时器,可选从4种时钟源（4096HZ、64HZ、1HZ、1/60HZ）。  内置时钟精度数字调整功能，可通过程序来调整走时的快慢。用户采用外置的温度传感器，设 定适应温度变化的调整值，可实现在宽温范围内高精度的计时功能。  12Bytes通用SRAM寄存器可用于存储用户的一般数据。 16kbit 512kbit SRAM(C/D/E/G ) 100  内置 ～ 的非易失性 型 ，其擦写次数 亿次，且没有内部写延时。  内置电池使用寿命—一次性民用级:3~5年, 一次性工业级和充电型:5~8年。  外加后备电池输入脚V :当内部电池因寿命等原因报废 ,可用外加的电池给时钟作备电。 BAT  内置IIC总线0.5秒自动复位功能(从Start命令开始计 ),保证时钟数据的有效性及可靠性, 避免IIC总线挂死问题。  内置三个时钟数据写保护位, 避免对数据的误写操作，可更好地保护时钟数据。  内置V 模式IIC总线通信禁止功能，从而避免在电池供电 CPU对时钟操作所消耗的电池电量， BAT 也可避免在主电源上、下电的过程中因CPU 的I/O端口所输出的不受控的杂波信号对时钟芯片 的误写操作，进一步提高时钟芯片的可靠性。  内置电源稳压,内部计时电压可低至1.5V。  内置上电复位电路及指示位。  芯片管脚 ESD4KV。 SD2400