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非等温模型下led芯片性能与衬底的关系-发光学报.pdf

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    第卷摇第期发摇光摇学摇报郾郾年月文章编号鄄鄄鄄非等温模型下芯片性能与衬底的关系王天虎徐进良王晓东华北电力大学新能源电力系统国家重点实验室北京摇华北电力大学低品位能源多相流与传热北京市重点实验室北京摇摘要发光二极管中载流子的输运及复合决定了其非均匀的内热源强度及分布而芯片温度又影响载流子的输运及复合两者具有强烈的耦合关系本文利用非等温多物理场耦合模型对以蓝宝石及为衬底的芯片的内量子效率光谱特性及光电转换效率进行了系统研究结果表明以为衬底的芯片具有最小的效率下垂效应及最高的光谱强度和光电转换效率这是

    第33卷摇 第6期 发摇 光摇 学摇 报 Vol郾33 No郾6 2012年6月 CHINESEJOURNAL OF LUMINESCENCE Jun. ,2012 文章编号:1000鄄7032(2012)06鄄0616鄄08 非等温模型下LED芯片性能与衬底的关系

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