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复旦大学模拟电子学基础第二章 半导体器件
第二章半导体器件
本章主要内容
本征半导体、杂质半导体、PN结
半导体二极管(伏安特性、等效模型、应用)
双极型晶体管(原理、伏安特性、模型)
场效应晶体管(原理、伏安特性、等效模型)
本章参考资料
《模拟电子学技术》讲义,孙承绶,复旦
《Analysis and Design of Analog Integrated Circuits 》
Paul R. Gray etc, 4th edition
复旦大学微电子学院2015年秋季 1
§2.1 半导体基础知识
1. 半导体材料的特性
电阻率对温度反应灵敏
温度改变,半导体的电阻率变化明显;
电阻率的温度系数为负,即温度升高,电阻率下降,导电性增强;
电阻率受杂质影响显著
微量掺杂可引起很大的电阻率降低,增强导电能力;
光照改变电阻率
复旦大学微电子学院2015年秋季 2
2. 半导体材料结构
本征半导体
纯净晶体结构的半导体称之为本征半导体。
常用的半导体材料有硅和锗,它们都是四价元素。
原子结构的最外层轨道上有四个价电子,当把硅或锗制成晶体时,它
们是靠共价键的作用而紧密联系在一起。
一个硅原子有四个价电
子
一个硅原子与邻近四个
原子构成正四面体结构
复旦大学微电子学院2015年秋季 3
一、本征激发
① 当价电子获得一定热能,就会摆脱共
价键的束缚,成为自由电子,带负电;
同时,在共价键上留下一个空位,叫
做空穴,带正电。
② 存在两种载流子,带负电的自由电子
和带正电的空穴,它们是成对出现的。
1 E
③ 本征浓度 n n p (N N )2 exp( g )
i 0 0 c v
2k T
0
二、两种电流
本征半导体中的自由电子和空
① 在外电场作用下,自由电子产生定向
穴的浓度很低,因而导电性差。
移动,形成电子电流;
② 同时价电子以一定的方向依次填补空
穴,从而使空穴产生定向移动,形成
空
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