模拟电子技术基础(第四版)课后习题答案 华成英 童诗白主编 清华大学电子学教研组编写.pdf

更多教材下载: 第1 章 常用半导体器件 自测题 一、判断下列说法是否正确，用“ ×”和“ √”表示判断结果填入空内。 (1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。( √) (2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。( × ) (3)PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。( √) (4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。( × ) (5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其RGS 大的特点。 ( √) (6)若耗尽型N 沟道MOS 管的UGS 大于零，则其输入电阻会明显变小。( × ) 二、选择正确答案填入空内。 (l) PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。 A.变窄 B.基本不变 C.变宽 (2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。 A.正向导通 B.反向截止 C.反向击穿 (3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。 A.前者反偏、后者也反偏 B.前者正偏、后者反偏 C.前者正偏、后者也正偏 (4) UGS=0V 时，能够工作在恒流区的场效应管有 A 、C 。 A.结型管 B.增强型MOS 管 C.耗尽型MOS 管 三、写出图Tl.3 所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U =0.7 V。 D 图T1.3 解：U =1.3V, U =0V, U =-1.3V, U =2 V, U =1.3V, U =-2 V。 O1 O2 O3 O4 O5 O6 四、已知稳压管的稳压值U =6V，稳定电流的最小值I =5mA 。求图Tl.4 所示电路中U 和U 各为多 Z Zmin O1 O2 少伏。 (a) (b) 更多教材下载: 图T1.4 解：左图中稳压管工作在击穿状态，故UO1 =6V。 右图中稳压管没有击穿，故UO2 =5V。 五、电路如图T1.5 所示，V =15 V，=100，U =0.7 V。 CC BE 试问： (1)R =50k时，Uo=? b (2)若T 临界饱和，则R =? b V U 解：(1) IB BB BE 26A ， R b I C I B 2.6mA , U V  I R 2V 。 图T1.5 O CC C c V U (2) ∵I CS CC BE 2.86mA ， IBS ICS /  28.6A R c V U ∴R BB BE 45.5k b I