碳化硅晶体产业进展及在LED产业中的应用_彭同华.pdf

碳化硅晶体产业进展及在LED产业中的应用_彭同华.pdf

  1. 1、本文档共24页,可阅读全部内容。
  2. 2、有哪些信誉好的足球投注网站(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。
  3. 3、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载
  4. 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
查看更多
碳化硅晶体产业进展及在LED产业中的应用_彭同华

2014 ·LED 配套材料产业发展交流对接会 中国·海宁 ——————————————————————————————————————— 2014·LED配套材料产业发展交流对接会 碳化硅晶体产业进展及在LED 碳化硅晶体产业进展及在LED 产业中的应 产业中的应 彭同华 陈小龙 北京天科合达蓝光半导体有限公司 中国科学院物理研究所 2014/04/25 · 浙江海宁 报告内容 报告内容  SiC性能优势与市场应  SiC晶体产业进展  SiC晶体在LED产业中应  天科合达公司研发进展 36 2014 ·LED 配套材料产业发展交流对接会 中国·海宁 ——————————————————————————————————————— SiC材料的特性与优势 1、高热导率 • Si的3倍、GaAs的10倍 2、高击穿电场 • Si的10倍、GaAs的5倍 3、高饱和电子漂移速率 • Si的2倍 4、抗辐照、化学稳定性好 • 工作温度~600 ℃ 5、与GaN相近的晶格常数 和热膨胀系数 SiC是电力电子器件的理想衬底  低的开启电阻、高的击穿电压、高的热导率、高的工作温度  降低开关损耗、降低冷却需求、器件小型轻量化、提升系统 整体性能 降低开关损耗

文档评论(0)

dajuhyy + 关注
实名认证
内容提供者

该用户很懒,什么也没介绍

1亿VIP精品文档

相关文档