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第5讲 光刻
微机电系统制程
Microfabrication technology
第五讲:光刻
梁庆 乔大勇
课程内容
光刻 剥离
A. 概述 G. 中烘
B. 预烘 H. 显影
C. 涂胶 I.坚膜
D. 软烘 J. 镜检
E. 对准 K. 去胶
F. 曝光 L. 剥离
光刻-概述
光刻-概述
制作西北工业大学微/纳米系统实验室“LOGO”的工艺流程
光刻-概述
光刻-概述
光刻-预烘
预烘(Dehydration Bake)又称脱水烘焙,通常伴随有“打底膜”工艺。目
的都是为了增强硅片与光刻胶之间的粘附性
脱水烘焙:目的是除去吸附在硅片表面的
大部分水汽。硅片表面的水汽会大大降低光刻
胶的粘附性。脱水烘焙一般是在400度的对流
烘箱中进行。采用扩散炉烘焙则需要在800度 粘附性不好显
影后产生浮胶
的温度下进行烘焙。
打底膜:脱水烘焙以后,可以立即采用六
甲基二硅胺烷(HMDS)进行对硅片进行成膜处理
,进一步提高硅片对光刻胶的粘附性,HMDS起
到了粘附促进剂的作用。
光刻-预烘
如果不进行脱水,则光刻胶是和硅片表面的水膜接触,而不是和硅片接
触,黏附效果就比较差。
光刻-预烘
Hydrophilic Hydrophobic
150-250℃ 90℃
60-90秒 60-90秒
光刻-预烘
编号 光刻胶属性 脱水烘焙条件
BP212
名称 温度 450℃
1 正胶
黏度 37CP 时间 15分钟
BP218
名称 温度 900℃
2 正胶
黏度 300CP 时间 15分钟
光刻胶粘度的单位是CP,为英文CentiPoise的缩写,中文名称为厘泊,
换算成国际单位为10-3Pa·S 。由于HMDS有毒,本实验室没有专门的设
备打底膜,所以脱水烘焙是采用扩散炉在高温下进行的。
光刻-涂胶
预烘完成后,硅片要立即采用旋转涂胶的方法涂上光刻胶。硅片被固定在一
个真空载片台上。然后将一定数量的光刻胶滴在硅片的中心,然后硅片旋转
得到一层均匀的光刻胶涂层。不同的光刻胶要求不同的
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