第6章 低噪声放大器.pdf

第六章低噪声放大器 李芹李芹 本章内容  LNA主要指标  晶体管高频小信号模型  高频小信号单回路选频放大器高频小信号单回路选频放大器  集成宽带放大器  LNALNA 的噪声匹配的噪声匹配  LNA设计举例  本章要点 LNALNA 主要指标主要指标 • 低噪声放大器在接收通道中的作用与位置低噪声放大器在接收通道中的作用与位置 LNALNA 主要指标主要指标 LNA的主要特点 要求LNA有较低的噪声系数。 要求LNA有有一定的功率增益 。 要求要求LNALNA 具有足够的线性范围具有足够的线性范围。 LNALNA 的匹配问题的匹配问题 LNALNA 主要指标主要指标 工艺艺 0.5µm 0.8µm SiGe GaAs FET Si Bipolar 电源电压电源电压 （（VV ）） 33.00 11.99 22.77-55.55 电源电流（mA ） 4.0 2.0 3.5 工作频率（GHz ） 1.9 1.9 1.4-2.5 噪声系数噪声系数NF(dB)NF(dB) 22.88 22.88 11.33 增益（dB ） 18.1 9.5 14.4 IIP3 (dBm) -11.1 -3 -4 反向隔离反向隔离 （（dBdB ）） -2121 -2121 -3030 本章内容  LNA主要指标  晶体管高频小信号模型晶体管高频小信号模型  高频小信号单回路选频放大器  集成宽带放大器  LNA的噪声匹配  LNA设计举例  本章要点本章要点 晶体管晶体管高频小信号模型高频小信号模型  双极型晶体管共射小信号等效模型 主要参数： 发射结的结电阻rb’e 、发射结电容 Cb’e 、集电结电容 Cb’c 基极电阻rbb’ 、 gmUb’e 、特征频率fT . 晶体管晶体管高频高频小信号模型信号模型 —— 双极型晶体管共射小信号等效模型 主要参数主要参数 ： rbb ’ee 为发射结的结电阻，其值为： U T r ((1))r ((1)) bb e ee I EQ Cb’e 为发射结电容，包含势垒电容 CT 和扩散电容 CD 两部份，Cb’e = CT + CD Cbb’cc 为集电结电容，它也包含势垒电容 CTT 和扩散 电容 CD 两部份 晶体管晶体管高频高频小信号模型信号模型 —— 双极型晶体管共射小信号等效模型 主要参数主要参数 ：：  rbb’ 由基极引线电阻和基区体电阻组成，其值约 为几十到几百欧为几十到几百欧。 ggmm Ubb’ee表示双极型晶体管放大作