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第8讲 干法刻蚀
微/纳制造工艺技术
Microfabrication technology
第八讲:干法刻蚀
乔大勇
课程内容
一 干法刻蚀
一 光刻
等离子基础
反应离子刻蚀
深度反应离子刻蚀
干法刻蚀
为什么要进行干法刻蚀
腐蚀参数 湿法腐蚀 干法刻蚀
腐蚀偏差 3微米 非常小
腐蚀图形 同性或异性 可控
刻蚀速率 高,可控 可接受,可控
选择性 高,不可控 可接受,可控
设备价格 低 高
产率 高(可批量化) 可接受
化学试剂使用 大量 少量
干法刻蚀
为什么要进行干法刻蚀
两类腐蚀方法的比较
腐蚀类别 腐蚀材料 腐蚀试剂
Silicon KOH, TMAH,EDP
Silicon Nirtide H PO
湿法腐蚀 3 4
Silicon Oxide HF
Al H PO4
3
Silicon, Polysilicon SF6
Silicon Nitride CF
干法刻蚀 4
Silicon Oxide CHF
3
Al Cl
2
干法刻蚀
干法刻蚀包括:光子束刻蚀、中子刻蚀和等离子刻蚀等多
种形式。在半导体技术中,等离子刻蚀是干法刻蚀中最常用的
技术。
等离子体采用
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