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第二章 半导体中的杂志和缺陷
第二章
第二章
半导体中的杂质和缺陷能级
半导体中的杂质和缺陷能级
前 言
半导体的杂质工程:
在纯净的半导体中掺入一定量不同类型的杂质,
并通过对其数量和在空间的分布精确地控制,实
现对电阻率和少子寿命的有效控制,从而人为地
改变半导体的电学性质,如n型半导体和p型半导
体。
原因:杂质能级的产生--晶体的势场的周期性
受到破坏而产生附加势场,使得电子或空穴束缚
在杂质周围,产生局域化的量子态即局域态,使
能带极值附近出现分裂能级--杂质能级。
本征半导体(intrinsic )能带:
没有
Eg 能级
实际半导体(extrinsic ):
1、晶体中晶格位置的原子在平衡位置振动
点缺陷 空位
缺陷的出现: 线缺陷 位错
面缺陷 层错
2、和晶体基质原子不同的杂质原子的存在
无意掺杂 源材料和工艺
杂质的出现:
有目的控制
有意掺杂
材料性质
杂质和缺陷对能带结构的影响:
在半导体的禁带中引入杂质或缺陷能级
影响半导体的电、光性质。
根据杂质能级在禁带中的位
置,将杂质分为:
浅能级杂质→能级接近导
带底 Ec 或价带顶 Ev ;
深能级杂质→能级远离导带
底 Ec 或价带顶 Ev 。
本章主要内容:
1、硅、锗中的浅能级和深能级杂质以及和杂
质能级,浅能级杂质电离能的计算,并了解杂
质补偿作用。
2、III-V族化合物主要是GaAs 中的杂质能级,
理解等电子陷阱、等电子络合物以及两性杂质
等概念。
§2-1半导体中的杂质和缺陷
一、杂质存在的方式和缺陷类型
1、存在方式:
(1)间隙式→杂质位于组成半导体的元
素或离子的格点之间的间隙位置。
Note: 间隙式原子的半径一般比较小。
金刚石结构中,一个晶胞内的原子占晶体原胞的
34%,空隙占 66% 。
Li H
、 在硅、锗、砷化镓中是以间隙式杂质。
(2)替位式→杂质占据格点的位置,大
小接近,价电子壳层结构相近。
Si :r=0.117nm
B :r=0.089nm
P :r=0.11nm
硅、锗是Ⅳ 族元素,与Ⅲ 、Ⅴ族元素的情况比
较相近,它们在硅、锗晶体中都是替位式杂质。
= Si = Si = Si =
‖ ‖ ‖
+
●
= Si = P = Si =
‖ ‖ ‖
= Si = Si = Si =
‖ ‖ ‖
单位
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