第二章 半导体中的杂志和缺陷.pdf

  1. 1、本文档共75页,可阅读全部内容。
  2. 2、有哪些信誉好的足球投注网站(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。
  3. 3、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载
  4. 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
查看更多
第二章 半导体中的杂志和缺陷

第二章 第二章 半导体中的杂质和缺陷能级 半导体中的杂质和缺陷能级 前 言 半导体的杂质工程: 在纯净的半导体中掺入一定量不同类型的杂质, 并通过对其数量和在空间的分布精确地控制,实 现对电阻率和少子寿命的有效控制,从而人为地 改变半导体的电学性质,如n型半导体和p型半导 体。 原因:杂质能级的产生--晶体的势场的周期性 受到破坏而产生附加势场,使得电子或空穴束缚 在杂质周围,产生局域化的量子态即局域态,使 能带极值附近出现分裂能级--杂质能级。 本征半导体(intrinsic )能带: 没有 Eg 能级 实际半导体(extrinsic ): 1、晶体中晶格位置的原子在平衡位置振动 点缺陷 空位 缺陷的出现: 线缺陷 位错 面缺陷 层错 2、和晶体基质原子不同的杂质原子的存在 无意掺杂 源材料和工艺 杂质的出现: 有目的控制 有意掺杂 材料性质 杂质和缺陷对能带结构的影响: 在半导体的禁带中引入杂质或缺陷能级 影响半导体的电、光性质。 根据杂质能级在禁带中的位 置,将杂质分为: 浅能级杂质→能级接近导 带底 Ec 或价带顶 Ev ; 深能级杂质→能级远离导带 底 Ec 或价带顶 Ev 。 本章主要内容: 1、硅、锗中的浅能级和深能级杂质以及和杂 质能级,浅能级杂质电离能的计算,并了解杂 质补偿作用。 2、III-V族化合物主要是GaAs 中的杂质能级, 理解等电子陷阱、等电子络合物以及两性杂质 等概念。 §2-1半导体中的杂质和缺陷 一、杂质存在的方式和缺陷类型 1、存在方式: (1)间隙式→杂质位于组成半导体的元 素或离子的格点之间的间隙位置。 Note: 间隙式原子的半径一般比较小。 金刚石结构中,一个晶胞内的原子占晶体原胞的 34%,空隙占 66% 。 Li H 、 在硅、锗、砷化镓中是以间隙式杂质。 (2)替位式→杂质占据格点的位置,大 小接近,价电子壳层结构相近。 Si :r=0.117nm B :r=0.089nm P :r=0.11nm 硅、锗是Ⅳ 族元素,与Ⅲ 、Ⅴ族元素的情况比 较相近,它们在硅、锗晶体中都是替位式杂质。 = Si = Si = Si = ‖ ‖ ‖ + ● = Si = P = Si = ‖ ‖ ‖ = Si = Si = Si = ‖ ‖ ‖ 单位

文档评论(0)

dajuhyy + 关注
实名认证
内容提供者

该用户很懒,什么也没介绍

1亿VIP精品文档

相关文档